一般認(rèn)為，局部放電是一種未發(fā)生擊穿的放電現(xiàn)象，具體來講，是指絕緣系統(tǒng)在電場作用下只有部分區(qū)域發(fā)生放電但沒有穿透施加電壓的導(dǎo)體之間的放電現(xiàn)象。
局部放電不會(huì)造成絕緣系統(tǒng)的貫穿性擊穿，但是會(huì)局部破壞電介質(zhì)材料尤其是有機(jī)材料。長期發(fā)生的局部放電會(huì)降低絕緣材料的電氣強(qiáng)度。所以局部放電對絕緣系統(tǒng)的破壞是一個(gè)又量變到質(zhì)變的過程，對高壓電氣設(shè)備的正常運(yùn)行構(gòu)成隱患。一般根據(jù)設(shè)備不同條件的下的局放特性可以評估其絕緣水平。
目前對于局部放電的描述有兩大微觀理論：湯遜理論和流注理論。
（1）湯遜理論：自由電子在電廠加速運(yùn)動(dòng)過程中與中性氣體分子碰撞，當(dāng)能量達(dá)到一定高度時(shí)，氣體電離產(chǎn)生電子，這樣就有了新的自由電子和離子，這些電子繼續(xù)運(yùn)動(dòng)，再繼續(xù)碰撞產(chǎn)生新的電離和離子。如此循環(huán)，自由電子的數(shù)目成α倍增長，于是形成了電子崩，當(dāng)滿足自持放電條件時(shí)，就會(huì)發(fā)生局部放電。湯遜理論適用于pd(p為氣體壓強(qiáng)，d為放電間隙)值較小的情況下。
（2）流注理論：該理論是在湯遜理論的基礎(chǔ)上發(fā)生的，適用于pd值較大的情況下。它著重強(qiáng)調(diào)氣體空間的光電離現(xiàn)象。電子崩發(fā)生時(shí)，電崩頭與崩尾的離子濃度達(dá)到一定程度就會(huì)發(fā)出光子，光子再激發(fā)中性分子放電進(jìn)而產(chǎn)生二次電子崩。兩次雪崩疊加后使電子崩中部的等離子區(qū)迅速擴(kuò)大，當(dāng)擴(kuò)大到貫穿電子崩兩極時(shí)就發(fā)生了氣體放電。氣體放電沿著一條狹窄的等離子通道產(chǎn)生，從而形成流注放電，流注放電一旦形成，放電就轉(zhuǎn)入自持，局部放電就產(chǎn)生了。
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