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高頻振蕩波(OSI)試驗(yàn)方法

閱讀:33發(fā)布時間:2025-7-15

高頻振蕩波(OSI)試驗(yàn)是通過直流電源給電力電纜充電。試驗(yàn)原理圖如圖所示,直流電源先對電容C1充電,當(dāng)達(dá)到預(yù)期的試驗(yàn)電壓之后,通過放電球隙給串聯(lián)電阻R2和電抗L,試品電容Cx放電,得到一個阻尼振蕩電壓。從而在試品電容上產(chǎn)生高壓Ux。

公式
高頻震蕩波試驗(yàn)電路圖
高頻震蕩波試驗(yàn)電路圖
通過國外的研究資料可以得知,高頻振蕩波(OSI)試驗(yàn)方法較直流耐壓而言更加有效,對于人工模擬的機(jī)械損傷和水樹枝的故障發(fā)現(xiàn)較好。但是,高頻振蕩波的衰減過大,只能用于短電纜試驗(yàn),而且與工頻耐壓試驗(yàn)相比其等效性還有待于進(jìn)一步研究。


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