串聯(lián)諧振試驗為什么會出現(xiàn)矩形波

現(xiàn)在已經(jīng)看到了類似于我們現(xiàn)實中的尖峰，那么問題來了，這個尖峰到底是怎么產(chǎn)生的呢？目前看到的就是我們換了一個MOS管的模型就出現(xiàn)了。

串聯(lián)諧振頻率

如果沒有串聯(lián)的寄生電感存在，那么就相當于是輸入電源直接通過幾毫歐的電阻接到了SW管腳，而輸入電源電壓可以認為是基本不變的。

但是呢，如果我們對比兩個NMOS管的Vgs，會發(fā)現(xiàn)有同時為低的情況，也就是說兩個管子同時都不導(dǎo)通，這一段時間就是死區(qū)時間。

這個器件是硅芯片，那么顯然，體二極管也就是硅二極管，導(dǎo)通電壓自然要比肖特基二極管更高，因此使用肖特基二極管可以降低功耗。

串聯(lián)諧振的特點

隨著SW節(jié)點的電壓升高，一直到SW電壓和Vin一樣，這時候電壓為什么不停止上升呢，直接達到穩(wěn)態(tài)呢？

力電子裝置，一般除了采用主動型諧波抑制方法以外，還要輔以無源或有源濾波器加以抑制高次諧波。

串聯(lián)諧振的條件

所以我們在PCBlayout的時候，如果是電容放置在背面，一定要多打些過孔，因為電感并聯(lián)，總電感量是減小的。

作為直流電源裝置，整流器廣泛應(yīng)用于各種場合。圖1(a)及圖1(b)分別為其單相和三相的典型電路。在整流裝置中，交流電源的電流為矩形波，該矩形波為工頻基波電流和為工頻基波奇數(shù)倍的高次諧波電流的合成波形。由傅氏級數(shù)求得矩形波中的高次諧波分量In與基波分量I1之比為1/n，隨著觸發(fā)控制角α的減小和換相重疊角μ的增大，諧波分量有減小的趨勢。

而實際MOS管在切換導(dǎo)通狀態(tài)的時候，MOS管必然會存在中間態(tài)-半導(dǎo)導(dǎo)通狀態(tài)，半導(dǎo)通時的MOS管的導(dǎo)通電阻是變化的，很大到接近于0，如果兩個管子同步切換，那么必然會出現(xiàn)都處于半導(dǎo)通狀態(tài)的情況，回路電阻很大，這樣功率電感電流就沒法續(xù)流了。

在開關(guān)電源設(shè)計中，我想大家都已經(jīng)認識到與電源用IC的選型一樣，外置元器件的選型也很重要這一事實。此次有幸獲得寶貴機會，請您詳細介紹一下作為元器件制造商的考量與相關(guān)信息。關(guān)于電容器與電感的話題，我們先從電容器開始。

交流調(diào)壓器多用于照明調(diào)光和感應(yīng)電動機調(diào)速等場合。圖2(a)及圖2(b)分別為其單相和三相的典型電路。交流調(diào)壓器產(chǎn)生的諧波次數(shù)與整流器基本相同。

諧振是什么意思

根據(jù)您之前的介紹，可以認為疊層陶瓷電容器在ESR、容值/尺寸、可靠性/壽命方面相當有優(yōu)勢對吧。

之所以有此猜測，是因為振蕩尖峰產(chǎn)生的原因一般就是因為LC阻尼振蕩，MOS管的模型一般都不會少了電容，而電感卻不一定有。

串聯(lián)諧振回路

您介紹過疊層陶瓷電容器的ESR較低。由于DC/DC轉(zhuǎn)換器有紋波，ESR的頻率特性是怎么樣的呢？

可以看到上尖峰為8V，比原來4V高了不少，這說明電感越大，尖峰越大

在SW電壓達到Vin時，如果電壓不再上升，那么意味著C2不再被充電，即流過C2的電流為0，那么L1的電流=功率電感電流。

我們可以看到，這個波形很漂亮，看著就是非常好的矩形波，沒有向上的振鈴。

要想把這個問題搞清楚，也很是不容易，所以文章有點長，請直接點贊轉(zhuǎn)發(fā)加收藏。