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182次利用傳感器外部結(jié)構(gòu)的過載保護設(shè)計，能夠很好地彌補單晶硅壓力傳感器自身過載保護設(shè)計的不足，不僅容易實現(xiàn)，而且抗過載壓力能大幅提高。針對差壓傳感器和表壓傳感器及絕壓傳感器，傳感器外部結(jié)構(gòu)過載保護有2種不同的設(shè)計方案。
表壓傳感器以大氣壓作為參考壓力，其測量硅膜片的負腔直接通大氣；絕壓傳感器以絕對真空作為參考壓力，其測量硅膜片的負腔為真空封裝狀態(tài)。表壓和絕壓傳感器的外部過載保護設(shè)計和差壓傳感器有所不同
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