TRICONEX 3706A

TRICONEX 3706A廈門光沃自動化設備有限公司
：歐工
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利用運放反饋與基準電壓生成任意大小的直流電流是一個簡單、直接的過程。但是，假設須要生成一些任意數(shù)量（以N為例）的電流沉/源（current sink/source），而每個電流沉/源的大小任意，可能須要針對不同階段的一些復雜模擬電路進行偏置。雖然基準電壓的生成僅須一次實施即可，電流沉整個反饋部分的重復進行卻使成本與設計空間密集化。那么問題來了：是否可以使用單個反饋源來實現(xiàn)這種偏置網絡呢？答案是肯定的，盡管這有些復雜，也須滿足某些特定條件。該網絡（本文分析中僅以電流沉為例）如圖1所示。

　　圖1：灌電流網絡

　　zui終MOSFET（金氧半場效晶體管）源電壓VS以及RSET電阻決定著各柱上的灌電流（sink current）；通過去除來自外部電流沉柱的反饋（即所有N》1），已失去對VSN的直接控制。因此，RSETN必須精心選擇以生成預期的任意第N個柱的灌電流，即ISINKN。仔細觀察上面的圖1，很容易得出定義偏置網絡第N個柱電流與第1個柱電流的比值的等式︰

　　重新調整等式1，得出R1與RN電阻比MRN，等式變?yōu)椋?/p>

140CPU43412  140CPU43412A  140CPU53414   140CPU53414A
140CRA21110   140CRA93100   140CRA93101   140CRA93200
140CRP81100   140CRP93100  140CRP93200   140DAI35300
140DAI54000   140DAI54300   140DAI55300   140DAO84000
140DAO84000   140DAO84010  140DAO84210   140DAO84210   140DAO85300
140DDI35300   140DDI45400  140DDI84100  140DDI85300  140DDO15300
140DDO35300  140DDO84300   140DDM39000   140DRA84000  140DRC83000
140ECH10500   140EHC20200   140NOE25100   140NOM21100   140NOM25200
140SHS94500  140XBP00400   140XBP00600  140XBP01000