SASHSN簡介

射頻導(dǎo)納式物位控制器利用高頻技術(shù),由電子線路產(chǎn)生一個小功率射頻信號于探頭上,探頭作為敏感元件，將來自物位介電常數(shù)引起的信號變化反饋給電子線路；由于這些變化包括電容量和電導(dǎo)量的變化因而電子線路處理的是容抗和阻抗的綜合變化信號進(jìn)行處理后改變繼電器的輸出狀態(tài)。它是在原電容測量的基礎(chǔ)上改進(jìn)為射頻導(dǎo)納測量技術(shù)，代表了當(dāng)今物位測量的新水平。

SASHSN技術(shù)參數(shù)

1. 電源： 12～40VDC   輸出：4～20mA

2．環(huán)境溫度：-40～65℃

3.大負(fù)載：24VDC時600Ω

4．響應(yīng)時間：標(biāo)準(zhǔn)0.2秒   0.5～30秒（可調(diào)）

5．線性度±0.25%

6．溫度影響：±0.25%/30℉或±0.1PF

7．電源電壓影響： 0.2%火花保護(hù):100A

8．電器接口：3/4″NPT

9. 分體電纜：標(biāo)準(zhǔn)長度為7.65米，長45.7米(僅對分體)普通型耐溫71℃，高溫型232℃可選

10．傳感元件安裝:3/4"NPT或法蘭安裝

11. 外殼：FM認(rèn)證。符合NEMA1-5&12、NEMA4X的防爆標(biāo)準(zhǔn),符合1區(qū)Ⅰ級A、B、C、D組；Ⅱ級E、F、G級和Ⅲ級所有級別防爆

12. 防爆區(qū)域等級: 電纜、傳感元件在1區(qū)、2區(qū)的所有組別本安,在防爆外殼內(nèi)的電路單元在1區(qū)C、D、E、F、G組本安