上海棱光雙光束紫外分光光度計(jì)-樣品濃度測(cè)量
通過(guò)對(duì)樣品試驗(yàn)的分析，認(rèn)為這是因?yàn)楣饪棠z在ICP粒子的轟擊下長(zhǎng)時(shí)間逐漸碳化,不能繼續(xù)阻擋粒子的轟擊，從而失去了掩模的作用。在ICP蝕刻過(guò)程中，由于槽的狹窄，化學(xué)反應(yīng)過(guò)程的產(chǎn)物不易逸出，導(dǎo)致這部分的蝕刻速度比光柵脊部慢，進(jìn)而使光柵的蝕刻深度降低。
與光刻膠面罩相比，SiO2 口罩具有較強(qiáng)的抗腐蝕能力。對(duì)于100 nm厚的SiO2掩模，抗蝕刻時(shí)間增加到80秒，相應(yīng)的光柵蝕刻深度為198 nm。然而，當(dāng)蝕刻時(shí)間超過(guò)80秒時(shí)，SiO2掩碼就不能繼續(xù)扮演ICP干燥蝕刻掩碼的角色,導(dǎo)致光柵蝕刻深度逐漸降低。耐干性好。采用50nm粗Ni作為ICP干燥蝕刻掩模，隨著蝕刻時(shí)間從50秒增加到140秒,光柵蝕刻深度沒(méi)有呈現(xiàn)下降趨勢(shì),表明Ni具有較強(qiáng)的抗蝕刻能力。當(dāng)蝕刻時(shí)間為140秒時(shí)，光柵的蝕刻深度達(dá)到490nm。與以光刻膠為掩模、以SiO2為掩模的樣品相比，蝕刻深度分別增加了305 .4%和48.9%，上海棱光技術(shù)有限公司當(dāng)用不同的材料作為光柵蝕刻的掩模時(shí)，光柵的蝕刻速率相似，光柵的周期和作用周期的差異不影響蝕刻率。
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