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深圳集源科技有限公司
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當前位置：深圳集源科技有限公司>>選配件專區(qū)>> 80E04電接口采樣模塊

電接口采樣模塊

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具體成交價以合同協(xié)議為準

產品型號80E04

品       牌

廠商性質經(jīng)銷商

所  在  地深圳市

聯(lián)系方式：陳佼查看聯(lián)系方式

更新時間：2023-04-09 07:15:34瀏覽次數(shù)：105次

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寬帶高達 70 GHz，測得的上升時間為 5 ps (10-90%)

技術數(shù)據(jù)

除另行說明外，所有技術規(guī)格均受保證。

型號概述
模塊 應用 帶寬 1 通道 輸入阻抗 輸入連接器
80E11 80E11X1 高頻低噪聲信號采集和抖動檢定 70/60/(40) GHz 2 2/1 50 ±1.0 Ω 1.85 mm 插孔
80E10B 真正差分 TDR，S 參數(shù)和故障隔離 50/40/(30) GHz 2 2 50 ±1.0 Ω 1.85 mm 插孔
80E09B 高頻低噪聲信號采集和抖動檢定 60/40/(30) GHz 2 2 50 ±1.0 Ω 1.85 mm 插孔
80E08B 真正差分 TDR 和 S 參數(shù) 30/(20) GHz 2 2 50 ±1.0 Ω 2.92 mm 插孔
80E07B 用噪聲/性能換取*佳抖動檢定 30/(20) GHz 2 2 50 ±1.0 Ω 2.92 mm 插孔
80E04 TDR 阻抗和串擾檢定 20 GHz 3 2 50 ±0.5 Ω 3.5 mm 插孔
80E03 80E03-NV 設備檢定 20 GHz 4 2 50 ±0.5 Ω 3.5 mm 插孔

1正常文本表示有保證值。括號里的值是典型（無保證）值，表示儀器的典型性能。

2用戶可選擇。

3根據(jù) 0.35 帶寬上升時間乘積而計算出。

480E03 帶寬根據(jù) 0.35 帶寬上升時間乘積而計算出。80E03-NV 帶寬經(jīng)過直接驗證。

80E11、80E11X1
上升時間
5 ps（根據(jù) 0.35 帶寬上升時間乘積而計算出）
動態(tài)范圍
800 mVp-p
偏置范圍
±1.1 V
*大工作電壓
±1.1 V
*大無損電壓，DC + ACp-p
2.0 V
垂直數(shù)字化位數(shù)
16 位滿刻度
垂直靈敏度范圍
8 mV 至 800 mV 滿刻度
直流垂直電壓精度，單點，在 ±2 °C 補償溫度范圍內
±2 mV

± 0.007 *（偏置）

± 0.02 *（垂直值 - 偏置）

階躍響應異常（典型值）
對于波帶 10 ns 至階躍過渡前的 20 ps，為 ±1% 或以下

對于階躍過渡后的頭 400 ps，為 +6%，–10% 或以下

對于波帶 400 ps 至階躍過渡后的 3 ns，為 +0%，–4% 或以下

對于波帶 3 ns 至階躍過渡后的 100 ns，為 +1%，–2% 或以下

對于階躍過渡后的 100 ns，為 ±1%

*大 RMS 噪聲（無保證，典型值）

70 GHz：≤1100 μV (950 μV)

60 GHz：≤600 μV (450 μV)

40 GHz：≤480 μV (330 μV)

括號里的值是典型值，表示儀器的正常性能。

80E10B
上升時間
7 ps（根據(jù) 0.35 帶寬上升時間乘積而計算出）
動態(tài)范圍
1.0 Vp-p
偏置范圍
±1.1 V
*大工作電壓
±1.1 V
*大無損電壓，DC + ACp-p
2.0 V
垂直數(shù)字化位數(shù)
16 位滿刻度
垂直靈敏度范圍
10 mV 至 1.0 v 滿刻度
直流垂直電壓精度，單點，在 ±2 °C 補償溫度范圍內
±2 mV

± 0.007 *（偏置）

± 0.02 *（垂直值 - 偏置）

階躍響應異常（典型值）
對于波帶 10 ns 至階躍過渡前的 20 ps，為 ±1% 或以下

對于階躍過渡后的頭 400 ps，為 +6%，–10% 或以下

對于波帶 400 ps 至階躍過渡后的 3 ns，為 +0%，–4% 或以下

對于波帶 3 ns 至階躍過渡后的 100 ns，為 +1%，–2% 或以下

對于階躍過渡后的 100 ns，為 ±1%

*大 RMS 噪聲（無保證，典型值）

50 GHz：≤700 μV (600 μV)

40 GHz：≤480 μV (370 μV)

30 GHz：≤410 μV (300 μV)

括號里的值是典型值，表示儀器的正常性能。

TDR 階躍幅度
250 mV（兩種階躍的極性都可反相）
TDR 系統(tǒng)反射上升時間
15 ps
TDR 系統(tǒng)入射上升時間
12 ps
TDR 階躍相差校正范圍
±250 ps
TDR 采樣器相差校正范圍
±250 ps
TDR 階躍*大重復率
300 kHz

此模塊在 DSA8200、TDS/CSA8200、TDS/CSA800B 或 TDS/CSA8000 主機中使用時，TDR 階躍*大重復率為 200 kHz

80E09B
上升時間
5.8 ps（根據(jù) 0.35 帶寬上升時間乘積而計算出）
動態(tài)范圍
1.0 Vp-p
偏置范圍
±1.1 V
*大工作電壓
±1.1 V
*大無損電壓，DC + ACp-p
2.0 V
垂直數(shù)字化位數(shù)
16 位滿刻度
垂直靈敏度范圍
10 mV 至 1.0 v 滿刻度
直流垂直電壓精度，單點，在 ±2 °C 補償溫度范圍內
±2 mV

± 0.007 *（偏置）

± 0.02 *（垂直值 - 偏置）

階躍響應異常（典型值）
對于波帶 10 ns 至階躍過渡前的 20 ps，為 ±1% 或以下

對于階躍過渡后的頭 400 ps，為 +6%，–10% 或以下

對于波帶 400 ps 至階躍過渡后的 3 ns，為 +0%，–4% 或以下

對于波帶 3 ns 至階躍過渡后的 100 ns，為 +1%，–2% 或以下

對于階躍過渡后的 100 ns，為 ±1%

*大 RMS 噪聲（無保證，典型值）
60 GHz：≤600 μV (450 μV)

40 GHz：≤480 μV (330 μV)

30 GHz：≤410 μV (300 μV)

括號里的值是典型值，表示儀器的正常性能。

80E08B
上升時間
11.7 ps（根據(jù) 0.35 帶寬上升時間乘積而計算出）
動態(tài)范圍
1.0 Vp-p
偏置范圍
±1.1 V
*大工作電壓
±1.1 V
*大無損電壓，DC + ACp-p
2.0 V
垂直數(shù)字化位數(shù)
16 位滿刻度
垂直靈敏度范圍
10 mV 至 1.0 v 滿刻度
直流垂直電壓精度，單點，在 ±2 °C 補償溫度范圍內
±2 mV

± 0.007 *（偏置）

± 0.02 *（垂直值 - 偏置）

階躍響應異常（典型值）
對于波帶 10 ns 至階躍過渡前的 20 ps，為 ±1% 或以下

對于階躍過渡后的頭 400 ps，為 +6%，–10% 或以下

對于波帶 400 ps 至階躍過渡后的 3 ns，為 +0%，–4% 或以下

對于波帶 3 ns 至階躍過渡后的 100 ns，為 +1%，–2% 或以下

對于階躍過渡后的 100 ns，為 ±1%

*大 RMS 噪聲（無保證，典型值）

30 GHz：≤410 μV (300 μV)

20 GHz：≤380 μV (280 μV)

括號里的值是典型值，表示儀器的正常性能。

TDR 階躍幅度
250 mV（兩種階躍的極性都可反相）
TDR 系統(tǒng)反射上升時間
20 ps
TDR 系統(tǒng)入射上升時間
18 ps
TDR 階躍相差校正范圍
±250 ps
TDR 采樣器相差校正范圍
±250 ps
TDR 階躍*大重復率
300 kHz

此模塊在 DSA8200、TDS/CSA8200、TDS/CSA800B 或 TDS/CSA8000 主機中使用時，TDR 階躍*大重復率為 200 kHz

80E07B
上升時間
11.7 ps（根據(jù) 0.35 帶寬上升時間乘積而計算出）
動態(tài)范圍
1.0 Vp-p
偏置范圍
±1.1 V
*大工作電壓
±1.1 V
*大無損電壓，DC + ACp-p
2.0 V
垂直數(shù)字化位數(shù)
16 位滿刻度
垂直靈敏度范圍
10 mV 至 1.0 v 滿刻度
直流垂直電壓精度，單點，在 ±2 °C 補償溫度范圍內
±2 mV

± 0.007 *（偏置）

± 0.02 *（垂直值 - 偏置）

階躍響應異常（典型值）
對于波帶 10 ns 至階躍過渡前的 20 ps，為 ±1% 或以下

對于階躍過渡后的頭 400 ps，為 +6%，–10% 或以下

對于波帶 400 ps 至階躍過渡后的 3 ns，為 +0%，–4% 或以下

對于波帶 3 ns 至階躍過渡后的 100 ns，為 +1%，–2% 或以下

對于階躍過渡后的 100 ns，為 ±1%

*大 RMS 噪聲（無保證，典型值）

30 GHz：≤410 μV (300 μV)

20 GHz：≤380 μV (280 μV)

括號里的值是典型值，表示儀器的正常性能。

80E04
上升時間
≤17.5 ps（根據(jù) 0.35 帶寬上升時間乘積而計算出）
動態(tài)范圍
1.0 Vp-p
偏置范圍
±1.6 V
*大工作電壓
±1.6 V
*大無損電壓，DC + ACp-p
3.0 V
垂直數(shù)字化位數(shù)
16 位滿刻度
垂直靈敏度范圍
10 mV 至 1.0 v 滿刻度
直流垂直電壓精度，單點，在 ±2 °C 補償溫度范圍內
±2 mV

± 0.007 *（偏置）

± 0.02 *（垂直值 - 偏置）

階躍響應異常（典型值）
對于波帶 10 ns 至階躍過渡前的 20 ps，為 ±3% 或以下

對于階躍過渡后的頭 300 ps，為 +10%，-5% 或以下

對于波帶 300 ps 至階躍過渡后的 5 ns，為 3% 或以下

對于波帶 5 ns 至階躍過渡后的 100 ns，為 ±1% 或以下

對于階躍過渡后的 100 ns，為 ±0.5%

*大 RMS 噪聲（無保證，典型值）
20 GHz：≤1.2 mV (600 µV)

括號里的值是典型值，表示儀器的正常性能。

TDR 階躍幅度
250 mV（兩種階躍的極性都可反相）
TDR 系統(tǒng)反射上升時間
28 ps
TDR 系統(tǒng)入射上升時間
23 ps
TDR 階躍相差校正范圍
±50 ps
TDR 采樣器相差校正范圍
+100 ns，–500 ps（僅校正插槽相差）
TDR 階躍*大重復率
300 kHz

此模塊在 DSA8200、TDS/CSA8200、TDS/CSA800B 或 TDS/CSA8000 主機中使用時，TDR 階躍*大重復率為 200 kHz

80E03、80E03-NV
上升時間
≤17.5 ps（根據(jù) 0.35 帶寬上升時間乘積而計算出）
動態(tài)范圍
1.0 Vp-p
偏置范圍
±1.6 V
*大工作電壓
±1.6 V
*大無損電壓，DC + ACp-p
3.0 V
垂直數(shù)字化位數(shù)
16 位滿刻度
垂直靈敏度范圍
10 mV 至 1.0 v 滿刻度
直流垂直電壓精度，單點，在 ±2 °C 補償溫度范圍內
±2 mV

± 0.007 *（偏置）

± 0.02 *（垂直值 - 偏置）

階躍響應異常（典型值）
對于波帶 10 ns 至階躍過渡前的 20 ps，為 ±3% 或以下

對于階躍過渡后的頭 300 ps，為 +10%，-5% 或以下

對于波帶 300 ps 至階躍過渡后的 5 ns，為 3% 或以下

對于波帶 5 ns 至階躍過渡后的 100 ns，為 ±1% 或以下

對于階躍過渡后的 100 ns，為 ±0.5%

*大 RMS 噪聲（無保證，典型值）
20 GHz：≤1.2 mV (600 µV)

括號里的值是典型值，表示儀器的正常性能。

物理特點
寬度 高度 厚度 重量
80E11 80E11X1
80E04
80E03
80E03-NV 		79.0 mm (3.1 in) 25.0 mm (1.0 in) 135 mm (5.3 in) 0.4 kg (0.87 lb)
80E10B 80E09B
80E08B
80E07B 1 		55 mm (2.2 in) 25.0 mm (1.0 in) 75 mm (3.0 in) 0.175 kg (0.37 lb)

180E10B、80E09B、80E08B 和 80E07B 的遠程采樣器模塊特點

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