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歐戟進(jìn)口BIFOLD全系列SPR-16-16-P1-32-NU

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　　單結(jié)晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、符號表示、等效電路以及引腳排列，如圖1(a)、(b)、(c)、(d)所示。引腳b1、b2分別為第一基極和第二基極(雙基極)，e為發(fā)射極。e極和N型硅片間構(gòu)成一個PN結(jié)。PN結(jié)A點(diǎn)至兩基極間的等效電阻分別用rb1和rb2表示。兩基極間的電阻用rBB表示，rBB=rb1+rb2。

　　圖1 單結(jié)晶體管結(jié)構(gòu)圖

　　2.工作原理和特性

　　單結(jié)管的伏安特性曲線示見圖2。共分三個區(qū)——截止區(qū)、負(fù)阻區(qū)、飽和區(qū)。

　　圖3為單結(jié)管的工作原理圖。在電路中讓基極2(b2)比基極l(b1)電位較正，圖中電源電壓VBB的正極接b2、負(fù)極接b1;發(fā)射極接觸發(fā)電壓VE。

　　即使單結(jié)晶體管處于截止區(qū)，從B1到B2仍有少量電流。沿著N型硅片存在著一個電壓梯度VA。發(fā)射極電壓VE等于啟動或峰值電壓VP(VP =VA+VD，VD為eb1之間的正向壓降，一般約為0.6~0.7V。)，PN結(jié)是正偏置，單結(jié)晶體管導(dǎo)通。啟動時，b1和E之間的電阻很快的降低，從b1到b2的電流增加，同時從E也有一個相當(dāng)大的電流流出，使rb1為低阻態(tài)，管子也進(jìn)入負(fù)阻區(qū)。VE低于低谷電壓(VV)后，管子進(jìn)入飽和區(qū)，使單結(jié)晶體管截止。發(fā)射極啟動電壓VP是由分壓比η= rb1/rBB確定的。

　　圖2典型伏安特性

　　圖3 工作原理圖

　　單結(jié)晶體管具有負(fù)阻特性，利用這一特性可以組成自激多諧振蕩器、階梯波發(fā)生器、定時電路等脈沖單元電路，被廣泛應(yīng)用于脈沖及數(shù)宇電路中。