東芝與英特爾和三星電子計劃建立一個財團，并邀請約10家半導(dǎo)體材料及相關(guān)企業(yè)加入，以到2016年共同開發(fā)出半導(dǎo)體線寬減半至近10納米的新芯片技術(shù)。

　　綜合媒體10月29日報道，東芝公司（Toshiba Corp.）將與英特爾（In Corp.）和三星電子（Samsung Electronics Co.）共同合作，以到2016年開發(fā)出半導(dǎo)體線寬減少逾一半至近10納米的技術(shù)。

　　據(jù)《日經(jīng)新聞》（Nikkei）10月29日早刊報道，這三家芯片制造商計劃很快建立一個財團，并邀請10家左右的經(jīng)營半導(dǎo)體材料及相關(guān)領(lǐng)域的企業(yè)加入。這些企業(yè)中預(yù)計將包括zui大光致抗蝕劑生產(chǎn)商JSR Corp.、世界*1和第2的光掩膜制造商大日本印刷公司（Dai Nippon Printing Co.）和日本凸版印刷公司（Toppan Printing Co.）、以及世界*2的芯片制造商東京電子（Tokyo Electron Ltd.）。 這個財團將在茨城縣筑波公私合營工廠開展研發(fā)工作。

　　日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省（Ministry of Economy, Trade and Industry）預(yù)計將為該研發(fā)工作約100億日圓的啟動資金提供約50億日圓資金，其余部分可能將來自于財團成員企業(yè)。

　　這將標志著有日本公私合營半導(dǎo)體開發(fā)項目接納了外國芯片制造商為主要成員企業(yè)。日方認為，考慮到大量的開發(fā)成本和競爭的加劇，的選擇是與*大及第二大芯片制造商英特爾和三星電子攜手合作。

　　該財團的工作將集中于半導(dǎo)體微影制程技術(shù)，該技術(shù)用于 （0）（0）評論此篇文章其它評論發(fā)起話題相關(guān)資訊財訊論壇請輸入驗證碼創(chuàng)建硅片電路。

　　隨著紫外線曝光設(shè)備預(yù)計將于2012年或以后登錄市場，zui小的理論半導(dǎo)體電路寬度將減少到10納米。但實際上大規(guī)模生產(chǎn)的線寬接近這一數(shù)字的芯片將需要諸如光刻膠樹脂和光掩膜等材料的改進，以及芯片制造設(shè)備的改良。

　　東芝和三星電子計劃利用該技術(shù)制造10納米級NAND閃存和其他芯片。更窄的電路預(yù)計將使內(nèi)存芯片的存儲能力增加兩倍，從而使一張郵票大小的芯片容納400千兆字節(jié)成為可能，即相當于約100個高清晰度電影。

　　英特爾可能將利用這一技術(shù)開發(fā)更快的微處理器。