晶閘管動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái)SYS-DBC-系列概述：
晶閘管的關(guān)斷時(shí)間 t q  ，電壓上升率dv/dt ，電流上升率di/dt是晶閘管元件的三個(gè)重要?jiǎng)討B(tài)參數(shù)，國標(biāo)規(guī)定這三個(gè)動(dòng)態(tài)參數(shù)是快速晶閘管和高頻晶閘管元件出廠前的必測(cè)項(xiàng)目。我們研制的三參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái)，是以國標(biāo)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)為依據(jù)，以滿足大批量生產(chǎn)為前提而設(shè)計(jì)的，具有操作簡(jiǎn)單、讀數(shù)直觀、測(cè)試效率高等特點(diǎn)，特別是各參數(shù)自動(dòng)測(cè)試、數(shù)字顯示，不用看示波器，不用手動(dòng)調(diào)節(jié)，減少了人為誤差，提高了測(cè)試效率。元件上夾具后三個(gè)參數(shù)一次測(cè)完，減少了管芯表面損傷，并提高了測(cè)試效率。

晶閘管動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái)SYS-DBC-系列整機(jī)技術(shù)指標(biāo)：
1．關(guān)斷時(shí)間t q  測(cè)試范圍：5—200μS
主要測(cè)試條件：
①通態(tài)峰值電流：50A—1000A可調(diào)
②通態(tài)峰值電流底寬：約400μS  
③通態(tài)峰值電流下降率：-di/dt=10—20A/μS
④關(guān)斷期間施加反壓幅值：20—100V
⑤重加電壓幅值：100—1000V可調(diào)
⑥重加電壓dv/dt：30V/μS
⑦測(cè)試重復(fù)頻率：12.5Hz或6.25Hz
⑧結(jié)溫：按規(guī)定
2．dv/dt測(cè)試范圍：200、300、500、800、1000V/μS自動(dòng)轉(zhuǎn)換
主要測(cè)試條件：
①dv/dt電壓幅值：0—1000V可調(diào)
②測(cè)試重復(fù)頻率：50HZ
③指數(shù)法測(cè)試
④結(jié)溫：按規(guī)定

3．di/dt測(cè)試范圍：100—200A/μS 可調(diào)
主要測(cè)試條件：
①通態(tài)峰值電流幅值：1000—2000A可調(diào)
②通態(tài)峰值電流底寬：約20μS
③開通前斷態(tài)電壓：500—1000V可調(diào)
④觸發(fā)脈沖前沿≤0.5μS，底寬=30μS
⑤測(cè)試重復(fù)頻率：50HZ
⑥結(jié)溫：按規(guī)定

4、配簡(jiǎn)易測(cè)試恒溫夾具：
①恒溫范圍：室溫—150℃可調(diào)
②夾具壓力：人力控制。

產(chǎn)品關(guān)鍵詞：晶閘管動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái)SYS-DBC-系列