湖南華思儀器有限公司
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更新時間：2026-07-20 11:42:47瀏覽次數(shù)：406次
聯(lián)系我時，請告知來自 儀表網(wǎng)高品質動態(tài)吸附儀(1)產(chǎn)品介紹高品質動態(tài)吸附儀DAS-7000是一款高品質高性能的動態(tài)吸附儀，它主要可用于測定催化劑樣品的氧化還原性能、表面酸堿性、表面物種結構和吸附能力，以及吸附量、化學比表面積、分散度等性能，操作方式分別為程序升溫和脈沖滴定
高品質動態(tài)吸附儀
(1) 產(chǎn)品介紹
高品質動態(tài)吸附儀DAS-7000是一款高品質高性能的動態(tài)吸附儀，它主要可用于測定催化劑樣品的氧化還原性能、表面酸堿性、表面物種結構和吸附能力，以及吸附量、化學比表面積、分散度等性能，操作方式分別為程序升溫和脈沖滴定。
該裝置采用面板和軟件共同操作的方式，面板上流路直觀清晰，這有利于實現(xiàn)對儀器閥門和管路的操作和控制，而對于電路部分，可實現(xiàn)面板和軟件間的相互切換，則有利于對儀器和數(shù)據(jù)的保護；該裝置配有特定的測控和數(shù)據(jù)分析軟件，完成測定結果的自動化生成，與此同時可對已測定結果進行數(shù)據(jù)后處理。該吸附儀配備自主研發(fā)的高靈敏性檢測器，其死體積小、阻值高。除此之外，本儀器簡便的結構形式方便其與其他分析儀器耦合使用，例如色譜、質譜等?？偟膩碚f，相比于國內(nèi)外同類產(chǎn)品，該裝置具有更高的精度、死體積小、重復性好、操作簡便等優(yōu)勢。
(2) 特點
1. 適用于塊狀和顆粒狀樣品；
2. 面板和軟件共同操作，面板上實現(xiàn)對儀器閥門和管路的操作和控制,清晰可見；而在電路部分上，可實現(xiàn)面板和軟件間的相互切換，面板和軟件上均可以進行控制；
3. 配備手動六通閥，可實現(xiàn)脈沖滴定過程；
4. 反應爐溫度控制精確（控溫精度<±1 ℃），程序控溫線性度高（線性可達到99.999%）；
5. 帶有注射口，注射墊片可更換，方便定量；
6. 通過閥門切換將有毒氣體或者腐蝕性氣體排出，不經(jīng)過TCD檢測器，防止污染TCD檢測器；
7. 儀器后端配備有尾氣排放連接口，可與色譜（GC）、紅外（IR）、質譜（MASS）等分析儀器聯(lián)用；
8. 六通閥外置兩種定量環(huán)，體積為0.5 ml和1 ml；
9. 配有wifi連接口，可以通過wifi方式與電腦進行連接，無需數(shù)據(jù)線；
10. 小型化結構，尺寸為600 mm（寬）*520 mm（高）*400 mm（厚）。
(3) 主要技術指標
1. 溫度0~1200 ℃，長期恒溫溫度不超過1000 ℃；
2. 反應爐溫度曲線：線性可達到99.999%，重復性偏差低于1 ℃；
3. 程序升溫速率：0.5~90 ℃/min（常規(guī)使用10℃/min），也可以在軟件上設置程序降溫程序；
4. 催化劑裝樣體積：0~1 ml；
5. 配備兩路質量流量計，均使用氮氣進行標定，量程100 ml/min，準確度±1% F.S，線性偏差±1% F.S，精度±0.2% F.S，響應時間2 s；
6. 軟件上設置12段溫度程序，具有獨立的PID參數(shù)，控制精度：0.2% FS；
7. 采用開式U型反應爐結構，降溫快，從1000 ℃下降至100 ℃只需要不到10 min；
8. TCD死體積~0.3 ml，靈敏度>108 mol-1(NH3)；
9. TCD穩(wěn)定性好，控溫精度<±0.1 oC。
(4) 實物圖
(5) 軟件操作界面
實時曲線界面
手動操作界面
優(yōu)點：
1. 實時監(jiān)控儀器全狀態(tài)，可實時獲取流量計流量、溫度、橋流等信息；
2. 可手動編輯多達14段溫度程序，可點擊執(zhí)行和降溫按鈕即實行程序運行。
(6) 實驗數(shù)據(jù)
6.1 H2-TPR譜圖
測試條件：取0.1 g活性碳負載催化劑在He氣氛150 oC下處理1 h后降至室溫，切換為5%H2/N2，待基線平穩(wěn)后程序升溫至600 oC，橋流120 mA， H2/N2混氣流量30 ml/min。
不同焙燒溫度處理的CuO基催化劑的CO2-TPD譜圖
6.2 NH3-TPD譜圖
測試條件：取0.1g ZSM-5負載催化劑在He氣氛550 oC下處理30 min，后降溫至100 oC，轉為NH3吸附1 h后再通入He進行吹掃，待基線平穩(wěn)后程序升溫至900 oC，橋流120 mA，載氣He流量40 ml/min。
ZSM-5負載催化劑的NH3-TPD譜圖
6.3 CO2-TPD譜圖
測試條件：取0.1g不同焙燒溫度處理的CuO基催化劑在He氣氛150 oC下處理1 h，后降溫至40 oC，轉為CO2吸附1 h后再通入He進行吹掃，待基線平穩(wěn)后程序升溫至800 oC，橋流120 mA，載氣He流量40 ml/min。
不同焙燒溫度處理的CuO基催化劑的CO2-TPD譜圖
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