高頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀 型號(hào):KD09-LT-1 金洋萬達(dá)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

1、儀器采用GB/T1553-1997中硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定高頻光電導(dǎo)衰減法；

2、測(cè)試硅單晶電阻率范圍：ρ﹥2Ω·㎝，測(cè)電子級(jí)參雜硅單晶片（厚度小于1mm）電阻率范圍：ρ﹥0.1Ω.cm（表面可能需拋光處理）；

3、可測(cè)材料：硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、硅塊、硅片等；

4、可測(cè)單晶少子壽命τ范圍：5μs~10000μs；

5、紅外光源配置：波長(zhǎng)1.06～1.09μm，紅外光在硅單晶內(nèi)穿透深度大于500μm。光脈沖關(guān)斷時(shí)間＜0.2-1μｓ脈沖電流：5A～20A ；

6、高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHZ；

7、前置放大器，放大倍數(shù)約25，頻寬2HZ-2MHZ；

8、高頻電極采用銦與樣品接觸，銦可以減小半導(dǎo)體材料與金屬電極間的接觸電阻的優(yōu)良材料而且有良好的抗腐蝕性能；

9、儀器測(cè)量重復(fù)誤差：﹤±25%；

10、顯示方式：本儀器配置數(shù)字存儲(chǔ)示波器，模擬帶寬50MHz，實(shí)時(shí)采樣率1GSa/S，垂直靈敏度2mv-5v/div，掃描范圍：2.5ns—50s/div；

11、儀器消耗功率：﹤50W；

12、儀器工作條件：溫度：10-35℃，濕度﹤65% 使用電源：AC 220V，50HZ（穩(wěn)壓電源）；

13、可測(cè)單晶尺寸： 斷面豎測(cè)：直徑25mm-150mm；厚度2mm-500mm 縱向臥測(cè)：直徑5mm-20mm；長(zhǎng)度50mm-800mm。

公司承諾：質(zhì)量服務(wù)承諾：

1.質(zhì)保期一年，終生免費(fèi)維護(hù)。

2.在質(zhì)保期內(nèi)，除人為因素外，任何因儀器設(shè)計(jì)、材料或工藝不當(dāng)引起的缺陷、故障我們免費(fèi)修理或更換。

3.接到用戶通知所提供的儀器出現(xiàn)故障后，十分鐘內(nèi)回應(yīng).

4.保證及時(shí)向用戶以優(yōu)惠的價(jià)格提供所需的備品備件和易