技術(shù)參數(shù)

- 溫度：**1600℃**；長期推薦工作溫度≤1550℃；短時(shí)峰值 1650℃（不超過 30 分鐘）

- 加熱元件：U 型硅鉬棒（MoSi?），輻射加熱；??400~700℃區(qū)間不宜長時(shí)間保溫，易氧化粉化

- 爐管：99% 高純氧化鋁剛玉管；管徑 Φ40/50/60/80mm 可選；恒溫區(qū) 100–400mm

- 測溫：B 型雙鉑銠熱電偶，測溫范圍 0–1800℃，測溫精度高

- 溫控系統(tǒng)：可編程 PID 儀表 / 觸摸屏，最多 50 段升溫 - 保溫 - 降溫程序；控溫精度 ±1℃；帶超溫、斷偶、漏電保護(hù)

- 真空系統(tǒng)：標(biāo)配旋片機(jī)械泵（極限真空約 10Pa）；可選分子泵機(jī)組升級(jí)高真空（10?3~10??Pa）；KF 真空法蘭，真空規(guī)實(shí)時(shí)監(jiān)測真空度

- 氣路系統(tǒng)：多路進(jìn)氣，浮子流量計(jì)或 MFC 質(zhì)量流量控制器；可通入 N?、Ar、O?等氣體；可多次抽真空置換，工藝階段維持微正壓

- 爐體結(jié)構(gòu)：雙層爐殼 + 風(fēng)冷結(jié)構(gòu)，外殼低溫；氧化鋁多晶纖維保溫，不掉粉，避免樣品污染；臺(tái)式小型，實(shí)驗(yàn)室臺(tái)面放置

- 供電：小規(guī)格 220V 單相，大功率規(guī)格 380V 三相

工作原理

1. 樣品放入剛玉管恒溫區(qū)，鎖緊兩端 KF 真空法蘭，形成密閉腔體；

2. **真空置換**：開啟機(jī)械泵抽真空，排出爐管內(nèi)空氣；抽到目標(biāo)真空度后關(guān)閉泵，通入保護(hù)氣體（氮?dú)?/ 氬氣）；重復(fù) 2~3 次抽真空 - 充氣，大幅降低管內(nèi)氧含量；

3. 溫控系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)硅鉬棒通電發(fā)熱，依靠輻射傳熱加熱樣品；B 型熱電偶實(shí)時(shí)采集溫度，PID 閉環(huán)自動(dòng)調(diào)節(jié)功率，按預(yù)設(shè)程序完成升溫、恒溫?zé)Y(jié)、降溫；

4. 燒結(jié)保溫階段：可保持真空環(huán)境，或持續(xù)通入保護(hù)氣體維持微正壓，隔絕氧氣，防止新材料高溫氧化；

5. 降溫至 200℃以下，緩慢放氣破真空，取出樣品。

主要應(yīng)用（新材料高溫?zé)Y(jié)方向）

1. **陶瓷材料**：氧化鋯、氧化鋁、氮化鋁、碳化硅陶瓷坯體小樣燒結(jié)、致密化實(shí)驗(yàn)、排膠

2. **新能源材料**：固態(tài)電池陶瓷電解質(zhì)、鋰電正極 / 負(fù)極粉體高溫煅燒、陶瓷隔膜燒結(jié)、電催化材料制備

3. **粉末冶金**：鈦粉、鎳基合金、難熔金屬粉末真空 / 氣氛燒結(jié)、光亮退火

4. **炭基、二維材料**：石墨烯、碳納米管、碳纖維高溫碳化，碳基復(fù)合材料燒結(jié)

5. **電子與磁性材料**：MLCC 介質(zhì)粉體、鐵氧體、熒光粉高溫固相合成

6. **薄膜與半導(dǎo)體**：陶瓷薄膜退火、CVD 氣相沉積、樣品高溫脫氣