絕緣子灰密對污閃電壓的影響

來源：武漢鴻志高測電氣技術(shù)有限公司 2011年01月07日 19:38

ρNSDD 與污閃電壓Uf 的關(guān)系

在ρESDD 分別為0. 026 mg/ cm2、0. 068 mg/ cm2及0. 14 mg/ cm2 時試驗研究了XP - 160 懸式瓷絕緣子Uf 隨ρNSDD 變化的關(guān)系, 試驗結(jié)果如表3 , 試驗得到的Uf 標準偏差在7 %之內(nèi)。對表3 的試驗結(jié)果進行曲線擬合, 可得到同一ρESDD下Uf 與ρNSDD 的關(guān)系, 如圖3 所示。

圖3 可知, 不同ρESDD 下7 片串人工污穢絕緣子串的Uf 均隨著ρNSDD 增加而下降; 并且ρNSDD 較小時, 隨ρNSDD 的增加Uf 下降較快, 隨著ρNSDD 的繼續(xù)增加, Uf 下降趨勢變緩, 這種趨勢與絕緣子串閃絡(luò)電壓和ρESDD 之間的關(guān)系一致。對表3 或圖3 試驗結(jié)果數(shù)據(jù)組進行分析和曲線擬合可知, Uf 隨ρNSDD 增加而下降的趨勢也滿足冪函數(shù)規(guī)律, 即:Uf = Bρ- bNSDD （ 2）式中: B 為與絕緣子形狀和污穢程度等有關(guān)的系數(shù); b 為表征絕緣子串閃絡(luò)電壓隨ρNSDD 變化而改變的特征指數(shù)。

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