測(cè)量開(kāi)關(guān)接觸電阻的原理

　　定義為觸點(diǎn)兩端的電壓與流過(guò)一對(duì)閉合觸點(diǎn)的電流之比。它遵守歐姆定律。Metal 1和Metal 2之間有一個(gè)接口。來(lái)自電流源的電流I流過(guò)這個(gè)接口，可以從電流表中讀取。然后可以從電壓表中將接口上的電壓降讀取為 U。然后可以計(jì)算接觸電阻值Rx。

　　Rx=U/I

　　由于接觸電阻隨環(huán)境和電流的通過(guò)而變化，因此測(cè)量條件應(yīng)接近使用條件。準(zhǔn)確的測(cè)量必須使用四端測(cè)量技術(shù)和熱電動(dòng)勢(shì)消除技術(shù)。這種間接測(cè)量方法可用于測(cè)量接觸電阻或回路電阻。它需要三個(gè)測(cè)試點(diǎn)、三個(gè)步驟和三個(gè)公式。該方法已被證明是正確的，也可用于校準(zhǔn)回路電阻標(biāo)準(zhǔn)。

　　接觸電阻測(cè)試的典型方法

　　四線 (Kelvin) 直流電壓降是使用微歐表進(jìn)行接觸電阻測(cè)試的典型方法，它通過(guò)消除自身的接觸電阻和測(cè)試引線的電阻來(lái)確保更準(zhǔn)確的測(cè)量。

　　接觸電阻測(cè)試使用兩個(gè)電流連接進(jìn)行注入和兩個(gè)電位引線進(jìn)行電壓降測(cè)量；電壓電纜必須盡可能靠近要測(cè)試的連接，并且始終位于由連接的電流引線形成的電路內(nèi)。

　　基于對(duì)電壓降的測(cè)量，微處理器控制的微歐表計(jì)算接觸電阻，同時(shí)消除連接中熱 EMF 影響可能產(chǎn)生的誤差（熱 EMF 是當(dāng)兩種不同金屬接觸時(shí)產(chǎn)生的小熱電偶電壓）連接在一起）它們將被添加到測(cè)量的總電壓降中，如果不通過(guò)不同的方法（極性反轉(zhuǎn)和平均，熱電動(dòng)勢(shì)幅度的直接測(cè)量等）從測(cè)量中減去它們，則會(huì)將誤差引入觸點(diǎn)電阻測(cè)試。

　　如果在小電流下測(cè)試斷路器接觸電阻時(shí)獲得低電阻讀數(shù)，建議在更高電流下重新測(cè)試觸點(diǎn)。為什么我們會(huì)受益于使用更高的電流？較高的電流將能夠克服端子上的連接問(wèn)題和氧化，在這些條件下，較低的電流可能會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤（較高）的讀數(shù)。

　　在接觸電阻測(cè)試中保持一致的測(cè)量條件非常重要，以便能夠與之前和未來(lái)的結(jié)果進(jìn)行比較以進(jìn)行趨勢(shì)分析。因此，在進(jìn)行定期測(cè)量時(shí)，接觸電阻測(cè)試必須在相同的位置，使用相同的測(cè)試引線（始終使用制造商的校準(zhǔn)電纜）和相同的條件下進(jìn)行，以便能夠知道何時(shí)連接、連接、焊接或設(shè)備將變得不安全。