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基于光強傳感器TSL256x的感測系統(tǒng)方案設計

   2012年06月27日 15:13  
  1、TSL256x簡介
  
  TSL2560和TSL2561是TAOS公司推出的一種高速、低功耗、寬量程、可編程靈活配置的光強度數(shù)字轉換芯片。該芯片可廣泛應用于各類顯示屏的監(jiān)控,目的是在多變的光照條件下,使得顯示屏提供*的顯示亮度并盡可能降低電源功耗;還可以用于街道光照控制、安全照明等眾多場合。該芯片的主要特點如下:
  
  ◇可編程設置許可的光強度上下閾值,當實際光照度超過該閾值時給出中斷信號;
  
  ◇數(shù)字輸出符合標準的SMBus(TSL2560)和I2C(TSL2561)總線協(xié)議;
  
  ◇模擬增益和數(shù)字輸出時間可編程控制;
  
  ◇1.25mm×1.75mm超小封裝,在低功耗模式下,功耗僅為0.75mW;
  
  ◇自動抑制50Hz/60Hz的光照波動。
  
  2、TSL256x的引腳功能
  
  TSL256x有2種封裝形式:6LEADCHIPSCALE和6LEADTMB。封裝形式不同,相應的光照度計算公式也不同。圖1為這兩種封裝形式的引腳分布圖。
  
  圖1TSL256x封裝
  
  各引腳的功能如下:
  
  腳1和腳3:分別是電源引腳和信號地。其工作電壓范圍是2.7~3.5V。
  
  腳2:器件訪問地址選擇引腳。由于該引腳電平不同,該器件有3個不同的訪問地址。訪問地址與電平的對應關系如表1所列。
  
  表1器件訪問地址與引腳2電平的對應關系
  
  腳4和腳6:I2C或SMBus總線的時鐘信號線和數(shù)據(jù)線。
  
  腳5:中斷信號輸出引腳。當光強度超過用戶編程設置的上或下閾值時,器件會輸出一個中斷信號。
  
  3、TSL256x的內部結構和工作原理
  
  TSL256x是第二代周圍環(huán)境光強度傳感器,其內部結構如圖2所示。通道0和通道1是兩個光敏二極管,其中通道0對可見光和紅外線都敏感,而通道1僅對紅外線敏感。積分式A/D轉換器對流過光敏二極管的電流進行積分,并轉換為數(shù)字量,在轉換結束后將轉換結果存入芯片內部通道0和通道1各自的寄存器中。當一個積分周期完成之后,積分式A/D轉換器將自動開始下一個積分轉換過程。微控制器和TSL2560可通過標準的SMBus(SystemManagementBus)V1.1或V2.0實現(xiàn),TSL2561則可通過I2C總線協(xié)議訪問。對TSL256x的控制是通過對其內部的16個寄存器的讀寫來實現(xiàn)的,其地址如表2所列。
  
  圖2TSL256x內部結構圖
  
  表2TSL256x內部寄存器地址及作用
  
  4、TSL256x應用設計
  
  TSL256x的訪問遵循標準的SMBus和I2C協(xié)議,這使得該芯片軟硬件設計變得非常簡單。這兩種協(xié)議的讀寫時序雖然很類似,但仍存在不同之處。下面僅以TSL2561芯片為例,說明TSL256x光強傳感器的實際應用。
  
  4.1硬件設計
  
  TSL2561可以通過I2C總線訪問,所以硬件接口電路非常簡單。如果所選用的微控制器帶有I2C總線控制器,則將該總線的時鐘線和數(shù)據(jù)線直接與TSL2561的I2C總線的SCL和SDA分別相連;如果微控制器內部沒有上拉電阻,則還需要再用2個上拉電阻接到總線上。如果微控制器不帶I2C總線控制器,則將TSL2561的I2C總線的SCL和SDA與普通I/O口連接即可;但編程時需要模擬I2C總線的時序來訪問TSL2561,INT引腳接微控制器的外部中斷。硬件連接如圖3所示。
  
  圖3微控制器與TSL2561的硬件連接圖
  
  4.2軟件設計
  
  微控制器可以通過I2C總線協(xié)議對TSL2561進行讀寫。寫數(shù)據(jù)時,先發(fā)送器件地址,然后發(fā)送要寫的數(shù)據(jù)。TSL2561的寫操作過程如下:先發(fā)送一組器件地址;然后寫命令碼,命令碼是接下來寫寄存器的地址00h~0fh和寫寄存器的方式,是以字節(jié)、字或塊(幾個字)為單位進行寫操作的;zui后發(fā)送要寫的數(shù)據(jù),根據(jù)前面命令碼規(guī)定寫寄存器的方式,可以連續(xù)發(fā)送要寫的數(shù)據(jù),內部寫寄存器會自動加1。對于I2C協(xié)議具體的讀寫時序,可以參考相關資料,在此不再贅述。TSL2561的軟件設計流程如圖4所示。
  
  圖4軟件設計流程
  
  限于篇幅,在此給出對TSL2561讀寫操作的部分程序:
  
  unsignedcharTSL2561_write_byte(unsignedcharaddr,unsignedcharc){
  
  unsignedcharstatus=0;
  
  status=twi_start();//開始
  
  status=twi_writebyte(TSL2561_ADDR|TSL2561_WR);//寫TSL2561地址
  
  status=twi_writebyte(0x80|addr);//寫命令
  
  status=twi_writebyte(c);//寫數(shù)據(jù)
  
  twi_stop();//停止
  
  delay_ms(10);//延時10ms
  
  return0;
  
  }
  
  unsignedcharTSL2561_read_byte(unsignedcharaddr,unsignedchar*c){
  
  unsignedcharstatus=0;
  
  status=twi_start();//開始
  
  status=twi_writebyte(TSL2561_ADDR|TSL2561_WR);//寫TSL2561地址
  
  status=twi_writebyte(0x80|addr);//寫命令
  
  status=twi_start();//重新開始
  
  status=twi_writebyte(TSL2561_ADDR|TSL2561_RD);//寫TSL2561地址
  
  status=twi_readbyte(c,TW_NACK);//寫數(shù)據(jù)
  
  twi_stop();
  
  delay_ms(10);
  
  return0;
  
  }
  
  當積分式A/D轉換器轉換完成后,可以從通道0寄存器和通道1寄存器讀取相應的值CH0和CH1,但是要以Lux(流明)為單位,還要根據(jù)CH0和CH1進行計算。對于TMB封裝,假設光強為E(單位為Lux),則計算公式如下:
  
 ?、?<CH1/CH0≤0.50
  
  E=0.0304×CH0-0.062×CH0×(CH1/CH0)1/4
  
 ?、?.50<CH1/CH0≤0.61
  
  E=0.0224×CH0-0.031×CH1
  
 ?、?.61<CH1/CH0≤0.80
  
  E=0.0128×CH0-0.0153×CH1
  
 ?、?.80<CH1/CH0≤1.30
  
  E=0.00146×CH0-0.00112×CH1
  
 ?、軨H1/CH0>1.30
  
  E=0
  
  對于CHIPSCALE封裝,計算公式可以查看相應的芯片資料。
  
  5、結論
  
  采用TSL256x實現(xiàn)光強度實時監(jiān)測的系統(tǒng),具有精度高、成本低、體積小等優(yōu)點。芯片內部集成了積分式A/D轉換器,采用數(shù)字信號輸出,因此抗*力比同類芯片強。該芯片在光強監(jiān)測控制領域已得到廣泛應用。

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