快速熱處理或快速熱處理(RTP/RTA)是一種半導(dǎo)體制造工藝，它提供了一種快速加熱樣品到高溫的方法，以便在幾分鐘的時(shí)間尺度上執(zhí)行短過程。這種快速加熱速率是由測(cè)量樣品溫度的高溫計(jì)和熱電偶控制的強(qiáng)度燈(例如近紅外光源-鎢鹵燈)實(shí)現(xiàn)的。冷卻也需要控制，以防止位錯(cuò)和樣品斷裂?？焖贌崽幚砥鸪跏菫殡x子注入退火而開發(fā)的，但已將其應(yīng)用范圍擴(kuò)大到氧化、硅化物形成、化學(xué)氣相沉積和應(yīng)用，如修改元素、化合物或合金的晶體相以增強(qiáng)性能、晶格界面或應(yīng)力松弛。RTP是一種靈活的技術(shù)，可提供快速加熱和冷卻，加工溫度約為200-1300°C，斜坡速率通常為20-200°C/秒，結(jié)合優(yōu)異的氣體環(huán)境控制，允許在一個(gè)加工配方中創(chuàng)建復(fù)雜的多階段工藝。

在這個(gè)過程中，半導(dǎo)體制造中使用的硅晶片在幾秒鐘的時(shí)間內(nèi)被加熱到1000攝氏度(1832華氏度)以上的溫度。微量氧的測(cè)量是保證產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵?？焖贌峒庸な前雽?dǎo)體制造中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，通過使用強(qiáng)度燈或激光，可以更快地處理硅晶圓。然后仔細(xì)冷卻晶圓片以防止熱沖擊。快速熱過程用于各種半導(dǎo)體制造應(yīng)用，包括摻雜劑活化，熱氧化，金屬回流和化學(xué)氣相沉積。我們使用值得信賴的技術(shù)，包括質(zhì)譜和氧化鋯，提供經(jīng)過現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的分析解決方案。具有快速響應(yīng)能力，這些分析儀提供污染物的快速檢測(cè)，以確保產(chǎn)品質(zhì)量。

硅片在傳輸過程中、升降舟（進(jìn)出反應(yīng)室）前后過程中，會(huì)受到設(shè)備內(nèi)部氣氛中氧分子的影響，導(dǎo)致非必要氧化層的產(chǎn)生，造成硅片的品質(zhì)降低甚至報(bào)廢現(xiàn)象。因此，通常需要采取氧氣（O2）分析儀和氣體質(zhì)量流量控制器來閉環(huán)控制和降低設(shè)備內(nèi)部氣氛中的含氧量。同時(shí)，為避免微氧控制過程中氣氛壓力超出安全范圍，一般采用了基于PLC的閉環(huán)控制模型來控制氣氛中的壓力，確保微氧控制良好情況下壓力系統(tǒng)的可靠運(yùn)行。

SenzTx101氧儀器

微氧控制是半導(dǎo)體立式爐、氧化爐、擴(kuò)散爐、退火/推進(jìn)設(shè)備的關(guān)鍵性能指標(biāo)。愛爾蘭Ntron恩特龍的SenzTx101/Microx-231氧氣分析儀采用螺紋或法蘭安裝，采用長(zhǎng)壽命的氧化鋯氧傳感器技術(shù)，量程0-100PPM，0-1000PPM，也可以選擇1ppm-25%量程的氧含量監(jiān)測(cè)范圍，響應(yīng)快，精度高，長(zhǎng)期穩(wěn)定性好，使用壽命長(zhǎng)，特別適合半導(dǎo)體氧化/退火爐的工況。目前已經(jīng)在國內(nèi)主要半導(dǎo)體設(shè)備廠商批量使用，是一款可靠、有效的產(chǎn)品。