半導(dǎo)體行業(yè)碳化硅長(zhǎng)晶爐應(yīng)用案例

來(lái)源：廈門(mén)宇電自動(dòng)化科技有限公司 2025年02月11日 16:14

物理氣相傳輸法（PVT）是制備碳化硅（SiC）晶體的主流方法之一，PVT法生長(zhǎng)SiC單晶，溫度高達(dá)2300℃，生長(zhǎng)過(guò)程需嚴(yán)格控制生長(zhǎng)溫度梯度，其溫度控制系統(tǒng)為閉環(huán)控制，由紅外測(cè)溫儀、溫控器、加熱電源以及加熱器（感應(yīng)線圈）組成。

系統(tǒng)框圖：

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宇電AI系列人工智能調(diào)節(jié)器

1、AI-8x9系列

2、AI-MODBUS-TCP1-24VDC

成功應(yīng)用于國(guó)內(nèi)某半導(dǎo)體裝備制造頭部企業(yè)碳化硅長(zhǎng)晶爐，該系統(tǒng)溫度的精確控制，儀表兼容多類(lèi)型輸入/輸出規(guī)格，具備可調(diào)的控制周期及報(bào)警功能，通訊兼容RS485及RS232，且可匹配外部TCP模塊實(shí)現(xiàn)MODBUS-TCP便捷通訊。

溫度控制效果：

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溫度控制效果：溫度波動(dòng)≤±0.5℃@2200℃，溫度超調(diào)、穩(wěn)定時(shí)間等指標(biāo)均與英國(guó)競(jìng)品水平相當(dāng)，經(jīng)終端客戶(hù)驗(yàn)證，可平替國(guó)外競(jìng)品，成功實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。

相關(guān)產(chǎn)品

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