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如何利用數(shù)字源表進(jìn)行納米材料納米發(fā)電機(jī)電特性表征

來(lái)源:武漢普賽斯儀表有限公司   2025年10月16日 15:38  

隨著全球能源需求日益增長(zhǎng)同時(shí)對(duì)環(huán)境保護(hù)的重視,傳統(tǒng)化學(xué)能發(fā)電已逐漸不適應(yīng)當(dāng)代社會(huì)的復(fù)雜要求。同時(shí)能源的需求和應(yīng)用領(lǐng)域也越發(fā)多樣化,基于這些現(xiàn)實(shí)需求,應(yīng)新材料為切入點(diǎn),重點(diǎn)關(guān)注新材料的發(fā)電研究∶基于納米材料的水伏發(fā)電及其發(fā)電性能。希望以此為突破點(diǎn),推動(dòng)新能源發(fā)展以及促進(jìn)能源多樣化供應(yīng)。


納米技術(shù)經(jīng)歷了幾十年的發(fā)展,現(xiàn)在已經(jīng)走入人們的日常生活中,各種納米材料目前在世界范圍內(nèi)得到了廣泛的應(yīng)用。納米器件擁有尺寸小、功耗低、反應(yīng)靈敏等特點(diǎn)。但納米器件的運(yùn)行必須有電池和集成電路的支持,目前無(wú)法達(dá)到絕對(duì)意義上的最小化。為解決這一問(wèn)題,院士王中林教授2006年手提出納米發(fā)電機(jī)的理念,使納米發(fā)電機(jī)的研究成為微型能源研究領(lǐng)域的熱點(diǎn),進(jìn)而開(kāi)辟了納米材料發(fā)電這一新興的學(xué)科領(lǐng)域。


地球表面70%以上都被天然水體覆蓋,是含量豐富的資源之一。無(wú)論地理位置或環(huán)境條件如何改變,天然水都可以通過(guò)吸收熱能而自發(fā)地流動(dòng)和蒸發(fā)。通過(guò)納米結(jié)構(gòu)與水的流動(dòng)、波動(dòng)、滴落和蒸發(fā)直接相互作用來(lái)發(fā)電的能量轉(zhuǎn)換效應(yīng),被稱(chēng)為水伏效應(yīng)(hydroltac  fec),這種效應(yīng)為解決柔性傳感系統(tǒng)的能源可持續(xù)供給提供了新思路。然而,如何在變形條件下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定發(fā)電和高輸出功率,并實(shí)現(xiàn)輕量化、柔性化可穿戴傳感微系統(tǒng)依然面臨很多挑戰(zhàn)。

測(cè)試要求

· 實(shí)時(shí)測(cè)試多種納米材料在同—水條件下的發(fā)電情況

· 不同納米材料的發(fā)電條件不同,并需要數(shù)據(jù)記錄

· I-V曲線掃描

測(cè)試難點(diǎn)

· 研究納米材料種類(lèi)多樣

· 多種納米材料需要在同一測(cè)試條件下進(jìn)行發(fā)電性能比對(duì)

· 確定納米材料發(fā)電功率及最佳發(fā)電條件

測(cè)試指標(biāo)

· 各種類(lèi)型和極性的液體對(duì)蒸騰納米發(fā)電機(jī)的Voc的影響

· 不同陽(yáng)離子大小的鹽溶液在不同條件下對(duì)TEPG的Voc的影響

· 不同pH值的鹽酸溶液下,測(cè)試出Voc的值

· 濕碳與干碳電位差及電流流向示意圖

· 濕/干界面擬流行為和電流產(chǎn)生的機(jī)理示意圖

· 蒸騰納米發(fā)電機(jī)的蒸發(fā)和吸附示意圖


利用數(shù)字源表進(jìn)行納米材料電特性表征

實(shí)施電性能參數(shù)表征分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表作為獨(dú)立的電壓源或電流源,可輸出恒壓、恒流、或者脈沖信號(hào),還可以當(dāng)作表,進(jìn)行電壓或者電流測(cè)量;支持Trig觸發(fā),可實(shí)現(xiàn)多臺(tái)儀表聯(lián)動(dòng)工作;針對(duì)有機(jī)OFET類(lèi)型的三端類(lèi)型納米器件以及多樣品驗(yàn)證測(cè)試,可直接通過(guò)多臺(tái)數(shù)字源表或者插卡式源表搭建完整的多通道IV測(cè)試系統(tǒng)。  

 

                               

水伏發(fā)電材料測(cè)試搭建圖.jpg

 

                                    納米水伏發(fā)電材料測(cè)試連接圖                                                 

V-T曲線和I-T曲線.jpg                     

V-T曲線和I-T曲線

 


P系列/CS系列源表打造納米有機(jī)晶體管器件測(cè)試方案


輸出特性曲線測(cè)試

在施加不同的柵壓(VGS)時(shí),源漏電流   ISD隨著源漏電壓VDS變化而變化得出的曲線,稱(chēng)之為輸出特性曲線。

輸出特性測(cè)試曲線.jpg


輸出特性測(cè)試曲線


轉(zhuǎn)移特性曲線測(cè)試

在施加不同的源漏電壓VDS下,源漏電流IDS隨著柵壓VGS的變化而變化得出的曲線,稱(chēng)之為轉(zhuǎn)移特性曲線。

       

轉(zhuǎn)移特性測(cè)試曲線.jpg

    轉(zhuǎn)移特性測(cè)試曲線


武漢普賽斯一直專(zhuān)注于納米材料,傳感器,半導(dǎo)體器件等電性能測(cè)試儀表開(kāi)發(fā),基于核心算法和系統(tǒng)繼承等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),帥自主研發(fā)了高精度數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖源表、集成插卡式源表等產(chǎn)品。產(chǎn)品具有測(cè)試精度高,微弱信號(hào)檢測(cè)能力強(qiáng)的特點(diǎn),可夠根據(jù)用戶測(cè)試需求配置高效,高性價(jià)比的納米材料測(cè)試方案,可廣泛應(yīng)用在納米材料,傳感器,半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品的研發(fā),生產(chǎn)領(lǐng)域。


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