公司一級代理：DK5V45R10同步整流IC序列芯片有DK5V45R10M，DK5V45R10ST1,DK5V45R10DK5V45R10 是一款簡單高效率的同步整流芯片，應(yīng)用電源適配器。只有 A，K 兩個(gè)引腳，分別對應(yīng)肖特基二極管的 A，K 引腳。芯片內(nèi)部集成了 45V 功率 NMOS 管.

  電子技術(shù)的發(fā)展，使得電路的工作電壓越來越低、電流越來越大。低電壓工作有利于降低電路的整體功率消耗，但也給電源設(shè)計(jì)提出了新的難題。
開關(guān)電源的損耗主要由3部分組成：功率開關(guān)管的損耗，高頻變壓器的損耗，輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下，整流二極管的導(dǎo)通壓降較高，輸出端整流管的損耗尤為突出?？旎謴?fù)二極管（FRD）或超快恢復(fù)二極管（SRD）可達(dá)1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會(huì)產(chǎn)生大約0.6V的壓降，這就導(dǎo)致整流損耗增大，電源效率降低。
舉例說明，筆記本電腦普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓，所消耗的電流可達(dá)20A。此時(shí)超快恢復(fù)二極管的整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50%。即使采用肖特基二極管，整流管上的損耗也會(huì)達(dá)到（18%～40%）PO，占電源總損耗的60%以上。因此，傳統(tǒng)的二極管整流電路已無法滿足實(shí)現(xiàn)低電壓、大電流開關(guān)電源高效率及小體積的需要，成為制約DC/DC變換器提高效率的瓶頸。
同步整流比之于傳統(tǒng)的肖特基整流技術(shù)可以這樣理解：
這兩種整流管都可以看成一扇電流通過的門，電流只有通過了這扇門才能供負(fù)載使用。
傳統(tǒng)的整流技術(shù)類似于一扇必須要通過有人大力推才能推開的門，故電流通過這扇門時(shí)每次都要巨大努力，出了一身汗，損耗自然也就不少了。
而同步整流技術(shù)有點(diǎn)類似我們通過的較高檔場所的感應(yīng)門了：它看起來是關(guān)著的，但你走到它跟前需要通過的時(shí)候，它就自己開了，根本不用你自己費(fèi)大力去推，所以自然就沒有什么損耗了。
通過上面這個(gè)類比，我們可以知道，同步整流技術(shù)就是大大減少了開關(guān)電源輸出端的整流損耗，從而提高轉(zhuǎn)換效率，降低電源本身發(fā)熱。
 電子技術(shù)的發(fā)展，使得電路的工作電壓越來越低、電流越來越大。低電壓工作有利于降低電路的整體功率消耗，但也給電源設(shè)計(jì)提出了新的難題。
開關(guān)電源的損耗主要由3部分組成：功率開關(guān)管的損耗，高頻變壓器的損耗，輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下，整流二極管的導(dǎo)通壓降較高，輸出端整流管的損耗尤為突出?？旎謴?fù)二極管（FRD）或超快恢復(fù)二極管（SRD）可達(dá)1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會(huì)產(chǎn)生大約0.6V的壓降，這就導(dǎo)致整流損耗增大，電源效率降低。
舉例說明，筆記本電腦普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓，所消耗的電流可達(dá)20A。此時(shí)超快恢復(fù)二極管的整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50%。即使采用肖特基二極管，整流管上的損耗也會(huì)達(dá)到（18%～40%）PO，占電源總損耗的60%以上。因此，傳統(tǒng)的二極管整流電路已無法滿足實(shí)現(xiàn)低電壓、大電流開關(guān)電源高效率及小體積的需要，成為制約DC/DC變換器提高效率的瓶頸。
同步整流比之于傳統(tǒng)的肖特基整流技術(shù)可以這樣理解：
這兩種整流管都可以看成一扇電流通過的門，電流只有通過了這扇門才能供負(fù)載使用。
傳統(tǒng)的整流技術(shù)類似于一扇必須要通過有人大力推才能推開的門，故電流通過這扇門時(shí)每次都要巨大努力，出了一身汗，損耗自然也就不少了。
而同步整流技術(shù)有點(diǎn)類似我們通過的較高檔場所的感應(yīng)門了：它看起來是關(guān)著的，但你走到它跟前需要通過的時(shí)候，它就自己開了，根本不用你自己費(fèi)大力去推，所以自然就沒有什么損耗了。
通過上面這個(gè)類比，我們可以知道，同步整流技術(shù)就是大大減少了開關(guān)電源輸出端的整流損耗，從而提高轉(zhuǎn)換效率，降低電源本身發(fā)熱。

DK5V45R10