LOR? 負(fù)光刻膠
產(chǎn)品名稱:光刻膠
型號:LOR
關(guān)鍵詞:MicroChem系列光刻膠
PMGI & LOR負(fù)光刻膠使能高產(chǎn),廣泛應(yīng)用于在處理多種數(shù)據(jù)存儲和無線芯片到MEMS的金屬剝離。PMGI & LOR負(fù)光刻膠作為雙疊層光刻膠,PMGI & LOR在超出單層防腐可以延長限制剝離處理。這包括非常高的分辨率的金屬化(<0.25μM),以及非常厚(>4μm)金屬化。這些*的材料可幾乎滿足任何客戶需要。
材料用途:金屬電梯加工,橋制造,釋放層
材料屬性:
l 覆蓋在成像抗蝕劑不會混雜
l 在TMAH雙疊層一步發(fā)展,或KOH開發(fā)
l 高熱穩(wěn)定性:Tg ~190 C
l 快速清除和常規(guī)抗剝離干凈
l 0.25μm微米雙層抗蝕成像
l 產(chǎn)量高,可用于很厚(>3μm)金屬剝離處理
Bi-Layer Lift-Off Process | Lift-Off: An enabling, additive lithographic process. |
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Step 1. LOR or PMGI is coated | 1. Bi-layer resist pattern |
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Step 2. The imaging resist is coated onto the LOR or PMGI layer. | 2. Metal Deposition |
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Step 3. The imaging resist is exposed. | 3. Clean solvent lift-off |
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Step 4. The wafer is developed. | |
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Step 5. Metal Deposition | |
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Step 6. Lift-Off! |





































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