(PLD MBE)
憑借著優(yōu)異的性能, PVD公司生產(chǎn)的脈沖激光沉積分子束外延系統(tǒng)在國內(nèi)外擁有較多用戶,為眾多老師開啟薄膜外延制備的新篇章。歡迎前來參觀咨詢。
用分子束外延進(jìn)行半導(dǎo)體材料、ZnO、GaN、SiGe和金屬/氧化物外延生長;
UHV磁控濺射磁性薄膜;
脈沖激光沉積超導(dǎo)薄膜、氧化物和陶瓷材料。
儀器主要配置:
主腔室,樣品傳輸腔,1100度加熱系統(tǒng),樣品旋轉(zhuǎn),PLD靶材操控器及光路,K-cell熱蒸發(fā)源,電子束蒸發(fā)源,射頻RF離子源。
應(yīng)用主要包括:
分子束外延系統(tǒng)(MBE);
GaAs、InP和GaSb外延;
HgCdTe外延;
GaN、InN和AlN外延;
Ⅱ-Ⅵ族外延;
SiGe外延;
Si/金屬/氧化物外延;
超高真空物理氣相沉積(PVD)系統(tǒng);
磁控濺射系統(tǒng);
脈沖激光沉積(PLD)系統(tǒng);
電子束蒸發(fā)系統(tǒng);
離子束沉積系統(tǒng);
熱蒸發(fā)系統(tǒng)。
PVD公司已經(jīng)在范圍內(nèi)安裝了超過100套的超高真空系統(tǒng)。絕大部分的產(chǎn)品都是針對(duì)用戶定制設(shè)計(jì)復(fù)雜的沉積系統(tǒng)。在標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)制造業(yè)中有著深厚的為用戶定制設(shè)計(jì)的背景,在用戶中具有很好的聲譽(yù)。許多的標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)初都是起源于針對(duì)某些客戶對(duì)沉積過程特殊需求和超高真空薄膜沉積系統(tǒng)制造商的產(chǎn)品和服務(wù)。

































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