高真空退火爐

產(chǎn)品介紹

     目前國(guó)內(nèi)高溫退火爐加熱大都為管式爐或馬弗爐，原理為加熱絲或硅碳棒對(duì)爐體加熱，加熱與降溫速度慢，效率低下，也無法實(shí)現(xiàn)溫度的高精度測(cè)量，加熱區(qū)域也存在不均勻的現(xiàn)象，華測(cè)儀器通過多年研究開發(fā)了一種可實(shí)現(xiàn)高精度，高反射率的拋物面與高質(zhì)量的加熱源相配置，在高速加熱高速冷卻時(shí)，具有良好的溫度分布?？蓪?shí)現(xiàn)寬域均熱區(qū)，高速加熱、高速冷卻，用石英管保護(hù)加熱式樣，無氣氛污染?？稍诟哒婵?，高出純度氣體中加熱。設(shè)備可組成均熱高速加熱爐，溫度斜率爐，階段加熱爐，是一種目前理想的真高空退火爐。

       它提高了加熱試驗(yàn)?zāi)芰?同電阻爐和其他爐相比，紅外線反射退火爐節(jié)省了升溫時(shí)間和保持時(shí)間及自然冷卻到室溫所需時(shí)間，再試驗(yàn)中也可改寫設(shè)定溫度值。從各方面講，都節(jié)省時(shí)間并提高實(shí)驗(yàn)速度。

      同高頻爐相比，不需特殊的安裝條件及對(duì)加熱試樣的要求。同電阻爐一樣安裝簡(jiǎn)單，有冷卻系統(tǒng)安全可靠。以提高試驗(yàn)人員的工作效率，實(shí)現(xiàn)全新的溫度控制操作！

設(shè)備優(yōu)勢(shì)

   高速加熱與冷卻方式

高能量的紅外燈和鍍金反射方式允許高速加熱到高溫。同時(shí)爐體可配置水冷系統(tǒng)，增設(shè)氣體冷卻裝置，可實(shí)現(xiàn)快速冷卻。

   溫度高精度控制

過紅外鍍金聚焦?fàn)t和溫度控制器的組合使用，可以控制樣品的溫度（遠(yuǎn)比普通加溫方式）。此外，冷卻速度和保持在任何溫度下可提供高精度。

   不同環(huán)境下的加熱與冷卻

加熱/冷卻可用真空、氣氛環(huán)境、低溫（高純度惰性氣體靜態(tài)或流動(dòng)），操作簡(jiǎn)單，使用石英玻璃制成。紅外線可傳送到加熱/冷卻室。

反射爐溫度控制裝置

高速升溫時(shí)，配套的快速反應(yīng)的高真空退火爐控制裝置，本控制裝置采用可編程溫度控制器。高性能設(shè)計(jì)，響應(yīng)速度快。

可選配

進(jìn)口干泵：抽速≥120L/min，極限真空度≤4pa，噪音小于52db；

進(jìn)口全量程真空規(guī)：刀口法蘭接口，真空測(cè)量范圍5X10-7Pa到1atm

為了高速加熱、設(shè)備采用PID溫度控制，同時(shí)采用移相觸發(fā)技術(shù)保證試驗(yàn)溫度。

    根據(jù)設(shè)備上的溫度控制器輸入?yún)?shù)，您也可以簡(jiǎn)單輸入溫度程序設(shè)定和外部信號(hào)。另外還可以在電腦上顯示熱中的溫度數(shù)據(jù)。

    自適應(yīng)熱電偶包括JIS、K、J、T、E、N、R、S、B、以及L、U、W型

    可設(shè)定32個(gè)程序、256個(gè)步驟的程序。

    30A、60A、120A內(nèi)置了SCR電路，所以范圍很廣。

設(shè)備配置

更多應(yīng)用

1.電子材料

半導(dǎo)體用硅化合化的PRA（加熱后急速冷卻）

熱源薄膜形成·激活離子注入后硅化物的形成

2.陶瓷與無機(jī)材料

陶瓷基板退火爐

玻璃基板退火爐。

陶瓷張力、撓曲試驗(yàn)退火爐。

3.鋼鐵和金屬材料

薄鋼板加熱過程的數(shù)值模擬。

爐焊接模擬

高真空熱處理（1000℃以下）

大氣氣體熔化過程

壓力下耐火鋼和合金的熱循環(huán)試驗(yàn)爐

4.復(fù)合材料

耐熱性評(píng)價(jià)爐

無機(jī)復(fù)合材料熱循環(huán)試驗(yàn)爐

5.其它

高溫拉伸壓縮試驗(yàn)爐。

分段分區(qū)控制爐

溫度梯度爐

爐氣分析

超導(dǎo)陶瓷退火爐