原子層沉積系統(tǒng)ALD

標(biāo)準(zhǔn)型（Standard ）設(shè)備價(jià)格低、質(zhì)量高、可任選附件進(jìn)行搭配

結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，后期維護(hù)簡(jiǎn)單易行用途廣，適合各種基底材料

原子層沉積系統(tǒng)，ALD——擴(kuò)展型（Flexivol）設(shè)備腔室體積可根據(jù)用戶樣品的尺寸靈活調(diào)節(jié)，同一腔室可通過(guò)簡(jiǎn)單的調(diào)節(jié)用于不同厚度的樣品

增多前驅(qū)體源入口數(shù)目，避免腔室體積增大對(duì)前驅(qū)體化學(xué)源氣氛分布的影響ALD原子層沉積系統(tǒng)——高度定制化（Non-Standard）設(shè)備為工業(yè)客戶提供薄膜沉積方案放大基于標(biāo)準(zhǔn)研究型設(shè)備檢驗(yàn)的相同技術(shù)根據(jù)客戶的特殊需求，加工定制，滿足特殊應(yīng)用及大規(guī)模的生產(chǎn)需要

研發(fā)（R&D）服務(wù)

多段溫度控制

前驅(qū)體溫控0-200 °C，精度1 °C

腔室溫控0-300 °C ，精度1 °C

進(jìn)出腔室管路溫控0-150 °C ，精度1 °C

基本壓強(qiáng)　10^−1/10^−3 mbar

設(shè)備尺寸　1000x600x1000 mm

觸控控制系統(tǒng)

系統(tǒng)當(dāng)前狀態(tài)信息顯示：氣流速度、溫度、壓力和閥門(mén)開(kāi)度等

工藝監(jiān)控：溫度和壓力等

偏差報(bào)警和安全鎖

菜單操作，實(shí)時(shí)監(jiān)控

可增配選項(xiàng)

等離子體發(fā)生器 借助等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來(lái)增強(qiáng)ALD性能

臭氧發(fā)生器 提供強(qiáng)氧化劑，增大ALD生長(zhǎng)的前驅(qū)體選擇范圍

石英晶體微天平在線監(jiān)測(cè)薄膜沉積的厚度