摘要氧分析儀Gasboard-3053搭載高穩(wěn)定性的氧化鋯核心傳感器，覆蓋25%富氧至1ppm微量氧的全范圍測(cè)量。具有測(cè)量精度高、響應(yīng)時(shí)間快、穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，可應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、空氣分離、惰性氣體焊接等領(lǐng)域，為關(guān)鍵的過(guò)程控制應(yīng)用程序提供可靠的性能。產(chǎn)品采用緊湊型模塊化設(shè)計(jì)...

摘要ZG-30質(zhì)構(gòu)儀（物性分析儀）作為一種感官物性分析類(lèi)儀器，可用于檢測(cè)食品、生物、制藥和化工等領(lǐng)域樣品的物性指標(biāo)，包括硬度、彈性、酥脆性、咀嚼度、堅(jiān)實(shí)度、韌性、延展性、回復(fù)性、凝膠強(qiáng)度等質(zhì)構(gòu)儀（物性分析儀）。CHZG-30質(zhì)構(gòu)儀為機(jī)電一體化產(chǎn)品，采用現(xiàn)代的機(jī)械設(shè)計(jì)理念和...

摘要 天津某區(qū)工況用電監(jiān)測(cè)儀項(xiàng)目實(shí)施案例：現(xiàn)場(chǎng)前端監(jiān)測(cè)設(shè)備主要為工況用電在線監(jiān)測(cè)儀及電流互感器組成，其工況用電在線監(jiān)測(cè)儀由能效監(jiān)測(cè)終端、本機(jī)顯示模塊、電源模塊、數(shù)據(jù)傳輸模塊組成。

摘要東莞剩余漏電流動(dòng)作保護(hù)器綜合試驗(yàn)臺(tái)主要由試驗(yàn)電源柜、漏電流發(fā)生器、總壽命試驗(yàn)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)組成。設(shè)備箱體采用優(yōu)質(zhì)鋁合金鋼材組裝，板金噴涂封板，表面防靜電防銹防腐蝕噴涂，設(shè)備上部裝有不銹鋼蝕刻面板，電源開(kāi)關(guān)，1種可調(diào)夾具，設(shè)備設(shè)計(jì)合理，使用方便，操作簡(jiǎn)單,性能可靠,外型美...

摘要上海航歐專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售MARPOSS傳感器MARPOSS油缸MARPOSS電感觸頭MARPOSS傳感器MARPOSS平衡頭MARPOSS調(diào)節(jié)器MARPOSS氣缸MARPOSS測(cè)量頭MARPOSS電源模塊MARPOSS控制器MARPOSS探針MARPOSS平衡頭MARPOSS...

摘要DEWETRON功率分析儀，多功能一體機(jī)DEWETRON功率分析儀是一家專(zhuān)注于數(shù)據(jù)采集（DAQ）與測(cè)試測(cè)量的公司，其核心優(yōu)勢(shì)在于提供高度模塊化、軟硬件深度結(jié)合的解決方案。無(wú)論是需要便攜式現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試，還是復(fù)雜的實(shí)驗(yàn)室臺(tái)架集成，其產(chǎn)品都能將高精度功率分析、瞬態(tài)記錄、振動(dòng)噪聲...

摘要 B1505A 功率器件分析儀/曲線追蹤儀是用于評(píng)測(cè) pA 以下到 10 kV/1500 A 功率器件的一體化解決方案。 具有準(zhǔn)確測(cè)量 10 µs 脈沖和 µΩ 導(dǎo)通電阻的能力。

摘要 中圖儀器WD4000晶圓厚度粗糙度三維形貌測(cè)量系統(tǒng)通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，*的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。

摘要 GHKGCJ礦用防爆真空開(kāi)關(guān)插件試驗(yàn)臺(tái)概述該設(shè)備主要是測(cè)量煤礦機(jī)修廠維修開(kāi)關(guān)的*助手，它能提供各種開(kāi)關(guān)的工作電源和大電流，及開(kāi)關(guān)的動(dòng)作時(shí)間，三相同步測(cè)量，漏電電阻試驗(yàn)，真空管耐壓測(cè)試等。

摘要 LET-SP802 半導(dǎo)體圖示儀是一款測(cè)量與分析功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的專(zhuān)用儀器，為所有類(lèi)型的功率半導(dǎo)體器件提供靜態(tài)參數(shù)測(cè)量解決方案。SP802 半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)能在 200V 和 10A 的條件下實(shí)現(xiàn)精確測(cè)量、分析功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù)。

摘要晶閘管伏安特性測(cè)試儀庫(kù)號(hào)：M412389晶閘管伏安特性測(cè)試儀 型號(hào):ZX/DBC-028庫(kù)號(hào)：M412389 查看hhmidwest-group 該測(cè)試儀是符合GUO標(biāo)GB4023-83《半導(dǎo)體器件整流二極管的測(cè)試方法》和GB-4024-83《半導(dǎo)體反向...

摘要 進(jìn)口5TE土壤溫度水分電導(dǎo)率傳感器可以測(cè)定土壤水分含量、電導(dǎo)率和溫度，震蕩頻率為70MHz。通過(guò)測(cè)定土壤的介電常數(shù)來(lái)確定含水量。三叉狀探針基部的熱敏電阻測(cè)定土溫，電導(dǎo)率通過(guò)其中兩根探針表面中部的螺絲測(cè)量。產(chǎn)品可同時(shí)測(cè)量3個(gè)土壤參數(shù)，可連接進(jìn)入“農(nóng)氣通”監(jiān)測(cè)系統(tǒng)。

摘要 EHC MRG-100液晶配向摩擦機(jī)工作原理為：液晶配向“摩擦”工藝是指將涂有聚酰亞胺等配向膜的玻璃基板或薄膜基板按一個(gè)方向摩擦的處理。液晶分子接觸到進(jìn)行了摩擦處理的配向膜后，可以簡(jiǎn)單地按照其方向排列，使透光能ON/OFF。

摘要 半導(dǎo)電橡塑材料體積電阻率試驗(yàn)儀-主要用于測(cè)量電纜用橡膠和塑料半導(dǎo)電材料中間試樣電阻率以及各種導(dǎo)電橡塑產(chǎn)品電阻，也可使用四端子測(cè)試夾，對(duì)金屬導(dǎo)體材料及產(chǎn)品的低、中值電阻進(jìn)行測(cè)量。

摘要 AE1/RD1輻射率儀是一款專(zhuān)為測(cè)量樣品半球輻射率而設(shè)計(jì)的特殊儀器。測(cè)量樣品的面積小不能低于直徑5.7cm的圓，而且樣品表面必須平整。

摘要el缺陷檢測(cè)儀是一款專(zhuān)門(mén)用于檢測(cè)電致發(fā)光材料或器件內(nèi)部缺陷的高精度專(zhuān)業(yè)設(shè)備。它能夠通過(guò)特定的激發(fā)方式，使EL材料或器件發(fā)出光信號(hào)，再借助高靈敏度的光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)捕捉這些光信號(hào)，精準(zhǔn)分析并識(shí)別出其中存在的微小缺陷，如裂紋、暗區(qū)、短路點(diǎn)等，為相關(guān)產(chǎn)品的質(zhì)量控制和性能評(píng)估提供...

摘要 智能型除濕裝置

摘要 半導(dǎo)電橡塑材料體積電阻率試驗(yàn)儀-主要用于測(cè)量電纜用橡膠和塑料半導(dǎo)電材料中間試樣電阻率以及各種導(dǎo)電橡塑產(chǎn)品電阻，也可使用四端子測(cè)試夾，對(duì)金屬導(dǎo)體材料及產(chǎn)品的低、中值電阻進(jìn)行測(cè)量。

摘要ZJ-3型壓電測(cè)試儀（靜壓電系數(shù)d33測(cè)量?jī)x）是為測(cè)量壓電材料的d33常數(shù)而設(shè)計(jì)的專(zhuān)用儀器，它可用來(lái)測(cè)量具有大壓電常數(shù)的壓電陶瓷，小壓電常數(shù)的壓電單晶及壓電高分子材料。此外，也可測(cè)量任意取向壓電單晶以及某些壓電器件的等效壓電d’33常數(shù)，儀器測(cè)量范圍寬，分辨率細(xì)，可靠...

摘要 MG50 B型半導(dǎo)體激光打標(biāo)機(jī)采用了目前上的半導(dǎo)體泵浦技術(shù)、體積小、電光轉(zhuǎn)換效率。具有光路可見(jiàn)光打標(biāo)預(yù)覽和打標(biāo)位置指示功能。該機(jī)配備了外置水冷系統(tǒng)，溫度自動(dòng)調(diào)節(jié)，可長(zhǎng)時(shí)間不間斷連接使用，基本免維護(hù)。是一種性能優(yōu)-秀、運(yùn)行穩(wěn)定、操作簡(jiǎn)便、環(huán)保節(jié)能的新型激光打標(biāo)設(shè)備。

摘要IDCB數(shù)據(jù)采集網(wǎng)絡(luò)系列產(chǎn)品是本公司基于多年工業(yè)儀表經(jīng)驗(yàn)和的積累，充分考慮工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)采集的需要，采用新微電子及全新表面貼裝工藝自主研發(fā)及的高性能遠(yuǎn)程I/O 產(chǎn)品，可完成分散在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的各類(lèi)信號(hào)的連續(xù)高精度測(cè)量。該系列前端具有測(cè)量精度高、抗干擾能力強(qiáng)、接口開(kāi)放性好、能...

摘要FIN1740.100.M濾波器FINMOTOR希而科供應(yīng)上海希而科工業(yè)控制設(shè)備有限公司，專(zhuān)業(yè)進(jìn)口歐盟產(chǎn)品，沒(méi)有其他中間環(huán)節(jié)，只要產(chǎn)品線還在，國(guó)家允許進(jìn)口，我們幾乎都可以為客戶買(mǎi)到需要的產(chǎn)品。濾波器是由電容、電感和電阻組成的濾波電路。濾波器可以對(duì)電源線中特定頻率的頻點(diǎn)...

摘要赫爾納-供應(yīng)AKW變徑公司簡(jiǎn)介：AKW變徑是一家中等規(guī)模的私營(yíng)企業(yè)，致力于提供工藝過(guò)程及設(shè)備，工廠設(shè)計(jì)、建造及服務(wù)。自從AKW變徑創(chuàng)建于1963年以來(lái)，新的產(chǎn)品理念和科技使其成長(zhǎng)為一個(gè)業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)眾多的企業(yè)。AKW變徑總部位于德國(guó)的荷紹市，在基爾、莫斯科、上海、圣保羅等均...

摘要主控接口是井下人員管理系統(tǒng)的配套設(shè)備Z大監(jiān)控容量：可接入32個(gè)基站傳輸方式：a）與主機(jī)通信：主從、半雙工、RS232 b）與基站通信：主從、半雙工、RS485Z大傳輸距離：a）485接口與基站Z大傳輸距離10km ...

摘要產(chǎn) 品 說(shuō) 明產(chǎn)品名稱(chēng)：DX200電線電纜電阻率檢測(cè)儀器產(chǎn)品說(shuō)明：DX200技術(shù)指標(biāo)：一 測(cè)量范圍： 電阻 10-5----105Ω，分辨率 10-7 （配套夾具）線材直徑： 1mm—18mm二 測(cè)量誤差： 10-4-...

摘要華科智源分立器件測(cè)試儀系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽...

摘要華科智源分立器件測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通...

摘要IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀/設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)...

摘要IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽...

摘要SiC器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)...

摘要IGBT測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車(chē) ，風(fēng)力發(fā)...

摘要半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車(chē) ...

摘要晶體管測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車(chē) ，風(fēng)力發(fā)電...

摘要半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車(chē) ，...

摘要半導(dǎo)體IV特性曲線測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車(chē)...

摘要華科智源IGBT測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車(chē) ...

摘要SiC/IGBT功率半導(dǎo)體器件測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交...

摘要華科智源功率器件參數(shù)分析儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽...

摘要華科智源MOS管功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道...

摘要華科智源半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交...

摘要華科智源大功率分立器件測(cè)試設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電...

摘要華科智源大功率分立器件測(cè)試設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電...

摘要華科智源半導(dǎo)體分立器件來(lái)料檢測(cè)儀器可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通...

摘要華科智源半導(dǎo)體分立器件測(cè)試分析儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，...

摘要華科智源半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電...