原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯(lián)的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。

應用領域

原子層沉積技術由于其沉積參數(shù)的高度可控型（厚度，成份和結構），優(yōu)異的沉積均勻性和一致性使得其在微納電子和納米材料等領域具有廣泛的應用潛力。該技術應用的主要領域包括：

1） 晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate）

2） 微電子機械系統(tǒng)（MEMS）

3） 光電子材料和器件

4） 集成電路互連線擴散阻擋層

5） 平板顯示器（有機光發(fā)射二極管材料，OLED）

6） 互連線勢壘層

7） 互連線銅電鍍沉積籽晶層（Seed layer）

8） DRAM、MRAM介電層

9） 嵌入式電容

10） 電磁記錄磁頭

11） 各類薄膜（<100nm）

半導體領域

晶體管柵極電介質(zhì)層（高k材料），光電元件的涂層，晶體管中的擴散勢壘層和互聯(lián)勢壘層（阻止摻雜劑的遷移），有機發(fā)光顯示器的反濕涂層和薄膜電致發(fā)光（TFEL）元件，集成電路中的互連種子層，DRAM和MRAM中的電介質(zhì)層，集成電路中嵌入電容器的電介質(zhì)層，電磁記錄頭的涂層，集成電路中金屬-絕緣層-金屬（MIM）電容器涂層。

納米技術領域

中空納米管，隧道勢壘層，光電電池性能的提高，納米孔道尺寸的控制，高高寬比納米圖形，微機電系統(tǒng)（MEMS）的反靜態(tài)阻力涂層和疏水涂層的種子層，納米晶體，ZnSe涂層，納米結構，中空納米碗，存儲硅量子點涂層，納米顆粒的涂層，納米孔內(nèi)部的涂層，納米線的涂層。