德國SUSS掩模對準(zhǔn)光刻平臺MA300 Gen3
在半導(dǎo)體先進(jìn)封裝與三維異構(gòu)集成領(lǐng)域,隨著晶圓尺寸提升與精細(xì)線寬管控要求提高,光刻工藝的實(shí)施難度也逐步增加。SUSS MicroTec是微結(jié)構(gòu)加工設(shè)備供應(yīng)商,MA300 Gen3全自動(dòng)掩模對準(zhǔn)光刻平臺,可適配200mm與300mm規(guī)格晶圓,能夠滿足工廠大批量生產(chǎn)的使用要求。
技術(shù)定位
MA300 Gen3是面向200mm、300mm晶圓打造的掩模對準(zhǔn)設(shè)備,主要應(yīng)用于前沿先進(jìn)封裝場景。設(shè)備可兼容兩種主流晶圓尺寸,能夠在研發(fā)實(shí)驗(yàn)、規(guī)模化量產(chǎn)等不同環(huán)境中保持統(tǒng)一的工藝標(biāo)準(zhǔn),場景適配能力較強(qiáng)。
對準(zhǔn)技術(shù)與精度表現(xiàn)
設(shè)備搭載DirectAlign®技術(shù)與PatMax視覺算法,支持頂面、底面、紅外多維度對準(zhǔn)模式,整體對準(zhǔn)精度可達(dá)0.5μm。底面對準(zhǔn)功能可應(yīng)用于減薄晶圓、雙面結(jié)構(gòu)化晶圓加工,紅外對準(zhǔn)則能夠?qū)εR時(shí)鍵合晶圓等紅外透明材質(zhì)完成識別定位,適配多樣化特殊晶圓工藝。
厚膠處理能力
MA300 Gen3采用近距曝光技術(shù),不受投影光學(xué)系統(tǒng)焦深限制,可完成數(shù)微米至100μm及以上厚度光刻膠層的曝光作業(yè),保障圖案完整呈現(xiàn)。該工藝方式適用于TSV通孔成型、晶圓凸點(diǎn)制備等工序,在復(fù)雜厚膠光刻場景中可以保持穩(wěn)定的工藝狀態(tài)。
光學(xué)參數(shù)
| 參數(shù)項(xiàng)目 | 技術(shù)指標(biāo) |
| 曝光光照度 | 90 mW/cm2 |
| 光強(qiáng)均勻度 | 2.5%(300mm晶圓全幅面) |
| 系統(tǒng)分辨率 | 優(yōu)于4微米 |
| 對準(zhǔn)精度 | 0.5 μm |

微環(huán)境設(shè)計(jì)
該設(shè)備屬于SUSS LithoPack完整光刻解決方案的核心組成部分,可加裝過濾單元形成獨(dú)立密封微環(huán)境,降低顆粒物帶來的工藝缺陷。設(shè)備可與涂膠、顯影設(shè)備集成聯(lián)動(dòng),自動(dòng)完成底涂、旋涂、烘烤、曝光、顯影、堅(jiān)膜等全流程工序,減少晶圓跨設(shè)備轉(zhuǎn)運(yùn)過程中產(chǎn)生的污染問題,保障整體工藝連貫性。
德國SUSS掩模對準(zhǔn)光刻平臺MA300 Gen3







































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