等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)

Plasma Enhansed Atomic Layer Deposition - PEALD

用高速隔膜閥使得前驅體以脈沖的方式填充腔體到表面吸附飽和，再使用反應氣體將腔內表面的自由基反應成目標材料，反復執(zhí)行，即可在腔內形成單晶超薄薄膜。可沉積大部分氧化和氮化物薄膜，也可根據(jù)應用需求沉積硫化物，硒化物等。目標薄膜的厚度多在 0-100 nm 范圍區(qū)間，薄膜致密性好，晶格取向一致，且可覆蓋或填充各種微納結構，是目前已知的覆蓋度較好的薄膜技術。

原子層沉積原理

金屬有機物前驅體兼容性強，合成相對靈活，所以原子層沉積技術基本可以覆蓋絕大部分常用材料薄膜。

原子層沉積相關的元素

原子層沉積技術以氣流與待沉積表面的相對方向可分為水平流和垂直流，二者均可實現(xiàn)大面良好均勻性沉積。

Syskey PEALD構造

應用領域：

● 介質薄膜

● 半導體薄膜

● 光學薄膜

● 薄膜封裝

應用展示：

配置選型：

配置特點：

● 樣品尺寸：6寸、8寸、12寸

● 本底真空優(yōu)于 5 × 10^-2 Torr

● 前驅物管路：最多 6 路前驅物，其中一路為H2O

● 反應氣體：氧氣，臭氧，氮氣，氨氣，氫氣，根據(jù)鍍膜材料選擇

● 前驅物加熱與冷卻功能可選，且可替換

● 300W CCP 等離子體模塊，支持熱模式與等離子體增強模式

● 可與手套箱集成，支持多種取放樣方式

● 支持多腔體互聯(lián)，實現(xiàn)原位多層膜沉積（PECVD&PEALD）