電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積

Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition - ICPCVD

SI 500 D ICP-CVD 使用平行板三螺旋天線（PTSA）設(shè)計(jì)，兼具平行板CCP和ICP兩種射頻源的特點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)低溫低損傷低應(yīng)力介質(zhì)薄膜沉積。

平行板三螺旋天線（PTSA）設(shè)計(jì)ICP-CVD

主要技術(shù)特點(diǎn)

● 高密度等離子體：具有優(yōu)異的等離子體特性，如高密度，低離子能量和低壓等離子體。

● 低功率耦合：SENTECH 的平行板三螺旋天線 (PTSA) 等離子體源技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低功率耦合。

● 低溫等離子體：低刻蝕速率、高擊穿電壓、低應(yīng)力、不損傷襯底，以及在低于 100°C 的沉積溫度下的低界面態(tài)密度，使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。

● 動(dòng)態(tài)溫度控制：動(dòng)態(tài)溫度控制結(jié)合氦氣背冷的襯底電極，襯底溫度控制：室溫到 +350°C 。

主要配置特點(diǎn)

● SI 500 D ICP-CVD可沉積各種常見薄膜，如介質(zhì)膜、α-Si、SiC 和其他材料。平行板三螺旋天線（PTSA）等離子體設(shè)計(jì)，獨(dú)立的反應(yīng)氣體控制、動(dòng)態(tài)溫度控制襯底電極、全自動(dòng)控制的高真空系統(tǒng)、采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)的 SENTECH 控制系統(tǒng)，以及用戶友好的軟件界面。

● SI 500 D ICP-CVD兼容各種各樣的襯底，從直徑 200 mm（8英寸） 的晶片到裝載在載片器上的碎片。單晶片預(yù)真空室保證了穩(wěn)定的工藝條件和人員的安全，并實(shí)現(xiàn)了不同工藝之間的快速便捷切換。

● SI 500 D ICP-CVD可實(shí)現(xiàn)從室溫到 350℃ 的溫度范圍內(nèi)沉積 SiO₂、SiNx、SiONx 和 α-Si 薄膜?？杉嫒菀簯B(tài)或氣態(tài)前驅(qū)體，可提供 TEOS, SiC 和其它特殊材料和前驅(qū)體的薄膜沉積提供全套解決方案。特別適用于在有機(jī)材料上低溫沉積保護(hù)層和在既定的溫度下無損傷地沉積鈍化膜。

● SENTECH 提供不同級(jí)別的自動(dòng)化程度，從真空片盒載片到一個(gè)工藝腔室或六個(gè)工藝模塊端口，具有很高的升級(jí)靈活性或高產(chǎn)能拓展可能性。該系統(tǒng)可用作多腔系統(tǒng)中的一個(gè)工藝模塊，直接集成于其中。

應(yīng)用展示

低溫沉積，高臺(tái)階覆蓋性，高致密度沉積

低溫沉積Si薄膜拉曼譜

用戶友好界面控制軟件