等離子體發(fā)射控制器RU-1000堀場HORIBA

等離子體發(fā)射控制器RU-1000堀場HORIBA

等離子體發(fā)射控制器RU-1000，等離子體發(fā)光顯示器EV-140C系列，EV2.0 HR，EV2.0 STD，EV2.0 LR

產(chǎn)品介紹

等離子體發(fā)射控制器RU-1000

觸摸屏用薄膜和玻璃基板通過反應(yīng)濺射法在基材上形成膜。反應(yīng)濺射法是在真空中使濺射粒子與氧氣或氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)從而形成膜的方法，但在反應(yīng)氣體的定量供應(yīng)法中，膜的速度較慢，難以實(shí)用化。然而，反應(yīng)模式和膜速度更快的金屬模式之間存在不穩(wěn)定的情況，已知通過控制等離子體發(fā)光強(qiáng)度可以保持膜速度變化大的過渡模式。

等離子體發(fā)射控制器 RU-1000 通過傳感器捕捉等離子體發(fā)光強(qiáng)度，并通過算法向其高速響應(yīng)質(zhì)量流量控制器發(fā)出適當(dāng)?shù)姆磻?yīng)性氣體流量指示，從而實(shí)現(xiàn)接近金屬模式的成膜速度的提高和穩(wěn)定的成膜。

等離子體發(fā)光顯示器EV-140C系列

利用等離子體的半導(dǎo)體薄膜工藝中，用于檢測端點(diǎn)或進(jìn)行等離子體條件管理的發(fā)光分析方式的端點(diǎn)監(jiān)測器。

通過新開發(fā)的算法“Rupture Intensity”，可以準(zhǔn)確地從微弱的信號(hào)變化中檢測到端點(diǎn)。

為了捕捉微弱的發(fā)光變化，大幅改善了靈敏度。

另外，通過提高噪聲耐性，確保在24小時(shí)運(yùn)行的生產(chǎn)線的惡劣環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。

EV2.0 HR

在半導(dǎo)體制造過程中，從成膜和蝕刻開始，各種制造工藝中都使用了等離子體技術(shù)。

從過程終點(diǎn)檢測、條件管理到等離子體診斷，這款等離子體發(fā)光監(jiān)測器能夠覆蓋從研發(fā)到生產(chǎn)線的各種用途。

這次新開發(fā)的高分辨率、寬量程、小型的三款型號(hào)，可以根據(jù)用途選擇最合適的規(guī)格。此外，專用的解析軟件可以檢測等離子體的微小信號(hào)變化，實(shí)現(xiàn)精密的終點(diǎn)檢測和等離子體過程的異常監(jiān)控，滿足各種需求。