中村代理:Toray東麗感光聚酰亞胺Photonice
東麗 Photonice™ GN 系列 是負型、厚膜專用、高耐熱的感光聚酰亞胺(PSPI),主打8–20μm 厚膜圖形化,適配半導(dǎo)體封裝、MEMS、功率器件等高溫厚膜絕緣 / 鈍化場景。
中村代理:Toray東麗感光聚酰亞胺Photonice
一、核心定位與類型
產(chǎn)品全稱:東麗 Photonice™ GN 系列負型感光聚酰亞胺涂層劑
類型:負型(n-PSPI) → 曝光區(qū)交聯(lián)固化保留,未曝光區(qū)被堿性水溶液顯影去除
核心定位:厚膜、高耐熱、高可靠yong久絕緣 / 鈍化膜
二、關(guān)鍵性能特點
1. 厚膜加工能力(核心優(yōu)勢)
標準膜厚范圍:8–20μm(東麗 PSPI 中厚膜專用,區(qū)別于 PW/LT 等薄 / 中膜系列)
厚膜圖形化:一次涂布即可實現(xiàn)厚膜光刻,無需多次疊層,大幅簡化工藝
膜厚均勻性:厚膜下仍保持優(yōu)異平整度與圖形精度
2. 超高耐熱性(適配高溫封裝)
固化溫度:≥ 300℃(適配回流焊、高溫鍵合等后道工藝)
玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg):≥ 300℃
熱失重溫度(Td?%):≥ 500℃(高溫下熱穩(wěn)定性ji強)
熱膨脹系數(shù)(CTE):≤ 50 ppm/℃(與硅 / 金屬基材匹配度高,減少熱應(yīng)力翹曲)
3. 優(yōu)異力學(xué)性能(剛?cè)岵?/h4>拉伸強度:≥ 150 MPa
斷裂伸長率:≥ 40%(兼顧強度與韌性,抗開裂、抗沖擊)
彈性模量:≥ 3 GPa
應(yīng)用價值:可作為yong久膜長期服役,耐受溫度循環(huán)與機械應(yīng)力
4. 感光與工藝友好性
曝光光源:適配 i-line(365nm)等主流紫外光刻
顯影體系:堿性水溶液顯影(如 TMAH),無需特殊溶劑,環(huán)保且兼容標準產(chǎn)線
分辨率:厚膜下仍可實現(xiàn) **≥5μm** 精細圖形
固化后特性:耐酸堿、耐有機溶劑、低吸濕性、高絕緣性
5. 電氣絕緣性能
介電常數(shù):≈ 3.2–3.5(低介電,減少信號損耗)
體積電阻率:≥ 101? Ω·cm(優(yōu)異絕緣,防漏電)
介電強度:≥ 200 kV/mm(耐高壓擊穿)
三、典型應(yīng)用場景
半導(dǎo)體封裝:再布線層(RDL)絕緣、鈍化層、應(yīng)力緩沖層
功率器件 / IGBT:高溫厚膜絕緣與保護
MEMS 器件:結(jié)構(gòu)層、密封層、絕緣層
gao端 PCB/FPC:高密度互連的厚膜絕緣圖形
玻璃芯基板(TGV):通孔填充與側(cè)壁絕緣(東麗新一代技術(shù)方向)
拉伸強度:≥ 150 MPa
斷裂伸長率:≥ 40%(兼顧強度與韌性,抗開裂、抗沖擊)
彈性模量:≥ 3 GPa
應(yīng)用價值:可作為yong久膜長期服役,耐受溫度循環(huán)與機械應(yīng)力
曝光光源:適配 i-line(365nm)等主流紫外光刻
顯影體系:堿性水溶液顯影(如 TMAH),無需特殊溶劑,環(huán)保且兼容標準產(chǎn)線
分辨率:厚膜下仍可實現(xiàn) **≥5μm** 精細圖形
固化后特性:耐酸堿、耐有機溶劑、低吸濕性、高絕緣性
介電常數(shù):≈ 3.2–3.5(低介電,減少信號損耗)
體積電阻率:≥ 101? Ω·cm(優(yōu)異絕緣,防漏電)
介電強度:≥ 200 kV/mm(耐高壓擊穿)
半導(dǎo)體封裝:再布線層(RDL)絕緣、鈍化層、應(yīng)力緩沖層
功率器件 / IGBT:高溫厚膜絕緣與保護
MEMS 器件:結(jié)構(gòu)層、密封層、絕緣層
gao端 PCB/FPC:高密度互連的厚膜絕緣圖形
玻璃芯基板(TGV):通孔填充與側(cè)壁絕緣(東麗新一代技術(shù)方向)





































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