德國BATOP公司是一家專門生長半導(dǎo)體可飽和吸收體等半導(dǎo)體光電器件的公司，主要產(chǎn)品包括：

SAM半導(dǎo)體可飽和吸收鏡 SAM - Saturable Absorber Mirror
RSAM共振可飽和吸收鏡 RSAM - Resonant SAM
SOC可飽和吸收耦合輸出鏡 SOC - Saturable Output Coupler
SANOS可飽和噪聲去除腔 SANOS - Saturable Noise Suppressor
SA可飽和吸收體 SA - Saturable Absorber
PCA太赫茲光電導(dǎo)天線

其中SESAM，RSAM和 SOC 是用于穩(wěn)定、自啟動(dòng)的DPSS被動(dòng)鎖模激光器的鎖模元件。

飽合吸收鏡的封裝方式有裸片，粘附在散熱基座，和光纖尾端等方式。

半導(dǎo)體可飽和吸收鏡（SESAM）的基本結(jié)構(gòu)就是把反射鏡與半導(dǎo)體可飽和吸收體結(jié)合在一起。底層一般為半導(dǎo)體反射鏡，其上生長一層半導(dǎo)體可飽和吸收體薄膜，最上層可能生長一層反射鏡或直接利用半導(dǎo)體與空氣的界面作為反射鏡，這樣上下兩個(gè)反射鏡就形成了一個(gè)法布里-珀羅腔，通過改變吸收體的厚度以及兩反射鏡的反射率，可以調(diào)節(jié)吸收體的調(diào)制深度和反射鏡的帶寬。

一般來說半導(dǎo)體的吸收有兩個(gè)特征弛豫時(shí)間，帶內(nèi)熱平衡 (intrabａnd thermalization) 弛豫時(shí)間和帶間躍遷 (interbａnd transition) 弛豫時(shí)間。帶內(nèi)熱平衡弛豫時(shí)間很短，在100-200fs左右，而帶間躍遷弛豫時(shí)間則相對(duì)較長，從幾ps到幾百ps。帶內(nèi)熱平衡弛豫時(shí)間基本上無法控制，而帶間躍遷弛豫時(shí)間主要取決于半導(dǎo)體生長時(shí)襯底的溫度，生長時(shí)的溫度越低，帶間躍遷弛豫時(shí)間越短。在SESAM鎖模過程中，響應(yīng)時(shí)間較長的帶間躍遷 (如載流子重組) 提供了鎖模的自啟動(dòng)機(jī)制，而響應(yīng)時(shí)間很短的帶內(nèi)熱平衡可以有效壓縮脈寬、維持鎖模。

1. SESAM半導(dǎo)體可飽和吸收鏡

型號(hào)描述：SAM-800-1-X
800-1—中心波長為800nm，飽和吸收率為1%，部分可選波長及飽和吸收率如下：
800（-1，-4）， （R > 99% @750-850nm），
850（-2，-4，-10，-12）， （R > 99% @810-860nm），
940（-4，-6）， （R > 99% @910-990nm），
980（-2，-7，-11，-18）， （R > 99% @910-990nm 或者960-1040nm），
1040（-1，-2，-3，-4，-5，-6，-10），（R > 99% @1020-1110nm），
1064（-1，-2，-3，-4，-5，-6，-8，-10，-13），（R > 99% @1020-1110nm），
1510（-6，-11），（R > 99% @1470-1570nm），
1550（-1，-2，-3，-8，-10，-30，-50），（R > 99% @1500-1570nm）。

X－封裝代碼
X=0，無封裝的裸片
X=12.7g，粘在1/2英寸的銅柱上
X=25.4g，粘在1英寸的銅柱上
X=12.7S，焊在1/2英寸的銅柱上
X=25.4S，焊在1英寸的銅柱上
X=FC/PC，安裝在1米長光纖一端，接頭類型FC/PC或其他可選

2. RSAM共振可飽和吸收鏡

型號(hào)描述：RSAM-1064-27-X
1064-27—中心波長為1064nm，飽和吸收率為27%，部分可選波長及飽和吸收率如下：
1064（-27，-47，-80）， （R > 99% @1050-1070nm）。

X ——封裝代碼
X=0，無封裝的裸片
X=12.7g，粘在1/2英寸的銅柱上
X=25.4g，粘在1英寸的銅柱上
X=12.7S，焊在1/2英寸的銅柱上
X=25.4S，焊在1英寸的銅柱上
X=FC/PC，安裝在1米長光纖一端，接頭類型FC/PC或其他可選
X=FC/PC with TEC，安裝在1米長光纖一端，且?guī)EC冷卻器


3. SOC可飽和吸收耦合輸出鏡

型號(hào)描述：SOC-980-2-X
980-2—中心波長為980nm，飽和吸收率為2%，部分可選波長及飽和吸收率如下：
980（-2，-4）， （R > 99% @960-1020nm），
1064（-2，-4）， （R > 99% @1040-1100nm）。

X ——封裝代碼
X=0，無封裝的裸片
X=12.7g，粘在1/2英寸的銅柱上
X=25.4g，粘在1英寸的銅柱上
X=12.7S，焊在1/2英寸的銅柱上
X=25.4S，焊在1英寸的銅柱上
X=FC/PC，安裝在1米長光纖一端，接頭類型FC/PC或其他可選

4. SANOS可飽和體噪聲去除腔

Free space SANOS (FS-SANOS)
Fibre coupled SANOS (FC-SANOS)

SANOS可飽和體噪聲去除腔的工作原來是利用可飽和吸收體對(duì)弱的噪聲光有很小的反射率，多強(qiáng)的輸出光具有很大的反射率，這樣光通過SANOS可飽和體噪聲去除腔后就能起到噪聲去除的作用?？捎糜谠偕糯蠛兔}沖選擇以后的噪聲光去除。

FS-SANOS-1064-1配備了一塊飽和吸收體，F(xiàn)S-SANOS-1064-2配備了兩塊飽和吸收體；
FC-SANOS-15XX-TEC是把飽和吸收體附在TEC制冷片上。

5. PCA太赫茲光電導(dǎo)天線

太赫茲光電導(dǎo)天線是由金屬電極和一層低溫生長的GaAs和InGaAs薄膜組成。iPCA是大面積的太赫茲光電導(dǎo)天線，用于高功率太赫茲輸出和高靈敏度太赫茲收集。