日本NAPSON 便攜式非接觸電阻率測(cè)試儀

基礎(chǔ)核心參數(shù)

1. 工作原理：交變磁場(chǎng)在導(dǎo)電樣品內(nèi)部感應(yīng)渦流，拾取渦流反饋信號(hào)運(yùn)算換算方塊電阻與電阻率；設(shè)備存儲(chǔ)測(cè)量方案，導(dǎo)出記錄用于新材料工藝復(fù)盤(pán)。

2. 型號(hào)：EC-80P（便攜式渦流非接觸電阻測(cè)量裝置）

3. 測(cè)量方式：非接觸渦流感應(yīng)，無(wú)物理探針接觸試樣

4. 運(yùn)行模式：晶圓電阻率、體電阻率、方塊電阻三種模式切換

5. 觸發(fā)方式：探頭貼合樣品自動(dòng)啟動(dòng)測(cè)量

6. 探頭配置：主機(jī)可同時(shí)連接兩支測(cè)量探頭，五檔量程探頭可選配互換

7. 樣品條件：樣品表面保持平整，不受整體尺寸與外形限制

8. 操控方式：JOG 旋轉(zhuǎn)旋鈕快速設(shè)置膜厚、補(bǔ)償?shù)葴y(cè)試條件

9. 機(jī)體構(gòu)造：臺(tái)式一體化機(jī)身搭配手提支架，便于移動(dòng)轉(zhuǎn)運(yùn)

10. 使用環(huán)境：恒溫實(shí)驗(yàn)室區(qū)間，濕度無(wú)凝露，半導(dǎo)體、光伏、顯示材料研發(fā)與產(chǎn)線質(zhì)檢工位

日本NAPSON 便攜式非接觸電阻率測(cè)試儀

核心功能特點(diǎn)

1. 非接觸測(cè)量，杜絕傳統(tǒng)四探針扎針造成的樣品表面破壞，同一片樣品可多點(diǎn)反復(fù)取樣評(píng)估均勻性。

2. 分離式手持探頭設(shè)計(jì)，可靈活移動(dòng)定位，大板、卷材、異形工件邊緣區(qū)域均可定點(diǎn)抽檢。

3. 自動(dòng)感應(yīng)觸發(fā)測(cè)量，探頭輕貼樣品立即讀數(shù)，簡(jiǎn)化操作流程，適合大批量來(lái)料快速篩查。

4. 模塊化多量程探頭體系，區(qū)分低阻、中阻、高阻、超高阻、光伏硅片專用探頭，不同導(dǎo)電材料均可保障測(cè)量精度。

5. 三種測(cè)量模式自由切換，兼顧塊狀半導(dǎo)體基體與薄層導(dǎo)電薄膜兩類(lèi)試樣檢測(cè)需求。

6. 旋轉(zhuǎn)旋鈕簡(jiǎn)易操控，可錄入樣品厚度參數(shù)，支持方塊電阻與電阻率互相換算。

7. 整機(jī)輕便易搬運(yùn)，既可放置實(shí)驗(yàn)臺(tái)開(kāi)展研發(fā)測(cè)試，也可直接運(yùn)至產(chǎn)線、倉(cāng)庫(kù)執(zhí)行來(lái)料巡檢。

8. 適配豐富材料品類(lèi)，硅晶圓、SiC、GaN 外延片、ITO 膜、碳基導(dǎo)電材料、金屬薄膜均可測(cè)試。

9. 無(wú)耗材消耗，日常僅需保持探頭端面潔凈，長(zhǎng)期運(yùn)維成本更低。

10. 完整新材料質(zhì)控臺(tái)賬留存，電阻測(cè)點(diǎn)記錄可回溯，薄膜沉積工藝優(yōu)化、晶圓來(lái)料檢驗(yàn)、成品一致性驗(yàn)收項(xiàng)目可直接調(diào)取管控記錄。

適用場(chǎng)景

1. 半導(dǎo)體行業(yè)：?jiǎn)?/ 多晶硅片、離子注入硅片、GaAs、GaN、SiC 各類(lèi)外延晶片電阻率檢測(cè)。

2. 光伏新能源工位：光伏硅基基材導(dǎo)電特性篩查，評(píng)估摻雜工藝均勻性。

3. 顯示光學(xué)領(lǐng)域：ITO、TCO 透明導(dǎo)電玻璃薄層電阻檢測(cè)。

4. 新材料研發(fā)：石墨烯、碳納米管、銀納米線復(fù)合導(dǎo)電薄膜電學(xué)性能表征。

5. 第三方材料檢測(cè)機(jī)構(gòu)：各類(lèi)導(dǎo)電薄膜、半導(dǎo)體樣品無(wú)損電學(xué)委托測(cè)試。

6. 高?？蒲衅脚_(tái)：二維材料、導(dǎo)電高分子、寬禁帶半導(dǎo)體課題樣品理化表征。

7. 半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室與新材料產(chǎn)線質(zhì)檢班組，配套無(wú)損便攜式薄層電阻檢測(cè)設(shè)備。