RHEED分析系統(tǒng)(kSA 400 Analytical RHEED System)，適合各種RHEED系統(tǒng)和薄膜沉積系統(tǒng)（如：脈沖激光沉積設(shè)備PLD,濺射系統(tǒng)Sputtering,分子束外延MBE, 金屬有機(jī)化學(xué)氣象沉積MOCVD等）！目前第四代系統(tǒng)結(jié)合優(yōu)質(zhì)的硬件和軟件，為客戶提供豐富的RHEED分析信息。

超過500個用戶，國內(nèi)如南京大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、電子部11所、中國科技大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、上海技術(shù)物理研究所等；
kSA 400 Analytical RHEED System 資料下載

技術(shù)參數(shù)：
• CCD系統(tǒng)：高速、高分辨和高靈敏度
• 光學(xué)系統(tǒng)：RHEED定量分析及成像分析
• 標(biāo)準(zhǔn)接口法蘭

主要特點(diǎn)：
• 圖像分析：單一圖像分析（靜態(tài)分析）模式，用戶選擇多圖像模式，聚焦模式，掃描模式，錄像模式，交互圖像疊加模式，2D和3D圖像分析；
• 實(shí)時衍射條紋演化監(jiān)控拍攝；
• 實(shí)時薄膜沉積速率測量；
• 原位表面診斷分析
• 功能的軟件分析功能
• RHEED振蕩追蹤檢測
• 可擴(kuò)展：Phase Locked Epitaxy (PLE), LEED, Auger/XPS,電子槍控制和搖擺曲線掃描；

實(shí)際應(yīng)用：