單晶少子壽命測(cè)試儀 型號(hào):THZ24-LT-2庫(kù)號(hào):M408359 查看hh LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀,該儀器用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量,是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一。本儀器配備有紅外光源,可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的硅單晶,以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。 本儀器根據(jù)高頻光電導(dǎo)衰退法的原理,由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器,InGaAsp/InP紅外光源及樣品臺(tái)共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。 技 術(shù) 指 標(biāo) : 測(cè)試單晶電阻率范圍 >2Ω.cm 可測(cè)單晶少子壽命范圍 5μS~7000μS 配備光源類型 波長(zhǎng):1.09μm;余輝<1 μS; 閃光頻率為:20~30次/秒; 高頻振蕩源 用石英諧振器,振蕩頻率:30MHz 前置放大器 放大倍數(shù)約25,頻寬2 Hz-1 MHz 儀器測(cè)量重復(fù) <±20% 測(cè)量方式 采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式 儀器消耗功率 <25W 儀器工作條件 溫度: 10-35℃、 濕度 < 80%、使用電源:AC 220V,50Hz 可測(cè)單晶尺寸 斷面豎測(cè):φ25mm—150mm; L 2mm—500mm; 縱向臥測(cè):φ25mm—150mm; L 50mm—800mm; 配用示波器 頻寬0—20MHz; 電壓靈敏:10mV/cm;




































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