【LPCVD產(chǎn)品簡介】

  LPCVD是用加熱的方式在低壓條件下使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜。由于工作壓力低.氣體分子的平均自由程和擴(kuò)散系數(shù)大，故可采用密集裝片方式來提高生產(chǎn)率，并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD 用于淀積Poly-Si、Si₃N₄、SiO₂、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路、電力、電子、光電子及MEMS等行業(yè)的生產(chǎn)工藝中。

【產(chǎn) 品 特 點(diǎn)】

◆對工藝時(shí)間、溫度、氣體流量、閥門動作、反應(yīng)室壓力實(shí)現(xiàn)自動控制。                                    

◆采用進(jìn)口壓力控制系統(tǒng)，閉環(huán)控制，穩(wěn)定性強(qiáng)。 

◆采用進(jìn)口耐腐蝕不銹鋼管件、閥門，確保氣路氣密性。   

◆具有*的報(bào)警功能及安全互鎖裝置。

◆具有良好的人機(jī)界面，靈活的工藝性能。

◆采用工控機(jī)技術(shù)，具有可靠地恒壓調(diào)整控制功能。

【主要技術(shù)指標(biāo)】

●適用硅片尺寸： 4~6"                                

●工作溫度及精度： 350 ~ 1000℃±1℃                    

●恒溫區(qū)長度：700mm  （可根據(jù)用戶需要設(shè)計(jì)）                      

●升溫速率：0 ~ 15℃/分鐘  可調(diào)             

●系統(tǒng)極限真空度：0.8 Pa                             

●工作壓力范圍：30 ~ 200Pa 可調(diào)         

●淀積膜種類：Si₃N₄  SiO

●淀積膜均勻性：片內(nèi)  ＜±3%;  片間  ＜±3%;  批間  ＜±4%

●淀積速率：200 ～300 ?/min （與淀積材料和工藝有關(guān)）

●操作方式： 手動、自動

●滿足半導(dǎo)體集成電路，電力電子器件，光電子等行業(yè)用于在硅片上淀積Si O₂、Si ₃N₄、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜工藝