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特點及用途：

PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高10⁹-10¹²cm³電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學反應，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式,低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點，工藝流程簡單。

配有前端預加熱爐，輔助固態(tài)源蒸發(fā)，后端為單溫區(qū)加熱爐，溫度控制精確，操作簡便，對于氣相沉積，二維材料，等離子處理生長工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。

1.與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長溫度更低。

2.使用滑軌爐實現(xiàn)快速升溫和降溫。

3.設備的技術(shù)使得整管輝光均勻等效，均勻生長

1.加熱系統(tǒng)

溫度	1200℃
使用溫度	≤1100℃
爐膛有效尺寸	Φ50mm（爐管直徑可根據(jù)實際需要定制）
爐膛材料	氧化鋁、高溫纖維制品
熱電偶類型	K型熱電偶
控溫精度	±1℃
控溫方式	30段可編程控溫，PID參數(shù)自整定
加熱長度	200+200mm
恒溫長度	100+100mm
加熱原件	電阻絲
供電電源	單相，220V，50Hz

2、預熱系統(tǒng)系統(tǒng)

溫度	400℃
爐膛有效尺寸	Φ50mm（爐管直徑可根據(jù)實際需要定制）
爐膛材料	氧化鋁、高溫纖維制品
熱電偶類型	K型熱電偶
控溫精度	±1℃
控溫方式	30段可編程控溫，PID參數(shù)自整定
加熱長度	100mm
加熱原件	電阻絲
額定功率	800W

3、PE系統(tǒng)

功率輸出范圍	0W~500W
反射功率	100W
射頻輸出接口	50 Ω, N-type, female
功率穩(wěn)定度	≤5W
諧波分量	≤-50dbc
供電電壓	單相交流（187V-253V）頻率50/60HZ
整機效率	>=70%
功率因素	>=90%
冷卻方式	強制風冷

4、三路質(zhì)子流量控制系統(tǒng)

連接頭類型	雙卡套不銹鋼接頭
標準量程（N₂)	50sccm，100sccm、500sccm （可根據(jù)用戶要求定制）
準確度	±1.5%F.S
線性	±1%F.S
重復精度	±0.2%F.S
響應時間	氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec
工作壓差范圍	0.1～0.5 MPa
壓力	3MPa
接口	Φ6,1/4''
顯示	4位數(shù)字顯示
工作環(huán)境溫度	5~45高純氣體
壓力真空表	－0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格
截止閥	Φ6
內(nèi)外雙拋不銹鋼管	Φ6

5、低真空機組

空氣相對濕度	≤85%
工作環(huán)境	5℃～40℃
工作電電壓	280V
抽氣速率	32m³/h
極限真空	5X10-1Pa（空載冷態(tài)）
工作壓力范圍	1.01325X105～1.33X10-2Pa
耐壓值	0.03MPa
進氣口口徑	KF40
排氣口口徑	KF40
連接方式	采用波紋管，手動擋板閥與波紋管相連