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武漢普賽斯儀表有限公司
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普賽斯儀表測試SiC MOS電性能方案詳解2025/12/16
碳化硅（SiC）之所以被電動車大量采用，因具有“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性，相較硅基半導體更適合車用。首先，從材料特性上看，碳化硅（SiC）具有更低電阻，電流傳導時的功率損耗更小，不...
如何利用數(shù)字源表進行納米材料納米發(fā)電機電特性表征2025/10/16
隨著全球能源需求日益增長同時對環(huán)境保護的重視，傳統(tǒng)化學能發(fā)電已逐漸不適應當代社會的復雜要求。同時能源的需求和應用領域也越發(fā)多樣化，基于這些現(xiàn)實需求，應新材料為切入點，重點關注新材料的發(fā)電研究∶基于納米...
如何優(yōu)化碳化硅功率模塊導通電阻和導通壓降的測試方法2025/9/1
在“碳達峰”“碳中和”等國家戰(zhàn)略背景下，以新能源汽車為代表的“雙碳經(jīng)濟”迎來前未有的發(fā)展機遇，電動汽車、光伏、風能綠色能源、智能電網(wǎng)等新的電力電子應用的發(fā)展，迫切要求電力電子器件在性能上更新?lián)Q代”。電...
如何用數(shù)字源表簡化元器件iv電性能測試方案？2025/8/14
國產(chǎn)半導體參數(shù)測試儀優(yōu)勢分析2025/8/12
半導體參數(shù)分析儀（器件分析儀）是一種集多種測量和分析功能于一體的測試儀器，可準確執(zhí)行電流-電壓（IV）和電容測量（CV(電容-電壓)、C-f(電容-頻率)以及C–t(電容-時間)測量），并快速、輕松地...
iv曲線測試儀器選購小技巧2025/7/22
IV曲線測試（電流-電壓特性曲線測試）是一種用于評估電子元件（如二極管、晶體管、太陽能電池等）電氣特性的基本方法。其原理是通過測量元件在不同電壓下的電流響應，繪制出電流（I）與電壓（V）之間的關系曲線...
IGBT產(chǎn)品可分為哪些？細數(shù)IGBT性能指標及相關應對測試方案2025/7/17
IGBT產(chǎn)品，按照封裝形式和集成程度的不同，可分為IGBT裸片、IGBT單管、IGBT模塊以及IPM/PIM模塊。其中，IGBT模塊主要構成為，芯片（包含IGBT芯片和Diode芯片），散熱基板、DB...
功率半導體器件IGBT測試難點及常見測試指標有哪些？2025/7/4
新能源汽車受800V驅(qū)動，以主逆變?yōu)榇淼腟iC滲透全面提速，貢獻最大下游市場并帶動充電樁、光儲及UPS市場逐步增長。碳化硅器件當前以電壓等級600-1700V，功率等級10kW-1MW的硅基IGBT...
高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)解決方案2025/6/10
為應對各行各業(yè)對IGBT的測試需求，武漢普賽斯正向設計、精益打造了一款高精密電壓-電流的IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導等豐富功能的綜合測試，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升...
國產(chǎn)數(shù)字源表搭建鈣鈦礦電池片IV測試系統(tǒng)方案2025/3/12
作為新一代太陽能電池，鈣鈦礦太陽能電池在光伏領域展現(xiàn)出巨大的潛力。目前，鈣鈦礦電池正處在從實驗室走向產(chǎn)業(yè)化的初期，由于其材料特性的影響，產(chǎn)業(yè)化I-V測試面臨著巨大的挑戰(zhàn)，傳統(tǒng)的測試方案存在明顯局限。測...
如有用SMU數(shù)字源表搭建霍爾效應測試系統(tǒng)測半導體材料2025/3/5
霍爾效應測試霍爾效應是一種電磁感應現(xiàn)象，當電流垂直于外磁場通過半導體時，載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，垂直于電流和磁場的方向會產(chǎn)生一附加電場，如下圖所示?；魻栃獪y試中我們一般測試霍爾電壓VH、電阻率ρ、霍爾系數(shù)R...
細數(shù)數(shù)字源表在光伏行業(yè)的應用2025/3/4
一、太陽能電池測試常見測試項:開路電壓(Voc)、短路電流(ISC)、峰值功率(Pmax)、峰值電壓(Vmax)、峰值電流(Imax)、填充因子(FF)、轉(zhuǎn)換效率(n)。二、常見測試需求及方案:1、光...
SMU數(shù)字源表搭建晶圓級微電子材料器件測試系統(tǒng)2024/12/24
在半導體材料和器件的研究中，電性能測試是不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導體技術的提升，微電子工藝逐漸復雜，如何對微電子材料器件進行高效率測試成為業(yè)內(nèi)關注的重點。普賽斯儀表陸續(xù)推出多型號國產(chǎn)化數(shù)字源表SMU，為進...
數(shù)字源表選購技巧2024/12/18
數(shù)字源表也稱為源測量單元(SMU),集數(shù)字萬用表、電壓源、電流源、電子負載以及脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器等功能于一體，同時可精確限流保護器件不受損壞。在功率半導體測試，光電子器件研究、晶體管檢定等方面被廣...
SiC GaN三代半功率器件測試挑戰(zhàn)及應對測試方案2024/11/21
功率半導體應用現(xiàn)狀隨著新能源汽車800V高壓快充技術的興起，SiC憑借其高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率以及高鍵合能等一系列顯著優(yōu)勢，成為功率半導體產(chǎn)業(yè)競相追逐的“風口”。在實際應用中，搭載碳...
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