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武漢普賽斯儀表有限公司
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  • 數(shù)字源表四探針法測(cè)水凝膠電導(dǎo)率

    四探針技術(shù)要求使用四根探針等間距的接觸到材料表面。在外邊兩根探針之間輸出電流的同時(shí),測(cè)試中間兩根探針的電壓差。電阻率通過樣品的幾何參數(shù),輸出電流源和測(cè)到的電壓值...

    型號(hào): S100/S200... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/4/1 9:14:49 對(duì)比
    數(shù)字源表電導(dǎo)率測(cè)試四探針法測(cè)試水凝膠電導(dǎo)率水凝膠測(cè)試
  • 數(shù)字源表IV掃描測(cè)試晶體管電性能

    普賽斯五合一高精度數(shù)字源表(SMU)在半導(dǎo)體IV特性測(cè)試方面擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn),為晶體管電性能參數(shù)測(cè)試提供全面的解決方案,包括二極管、MOS管、BJT、IGBT...

    型號(hào): S型 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/3/7 14:56:14 對(duì)比
    源表數(shù)字源表IV掃描測(cè)試晶體管電性能電性能測(cè)試
  • 數(shù)字源表IV測(cè)試光耦/mos靜態(tài)電特性參數(shù)

    數(shù)字源表IV測(cè)試光耦/mos靜態(tài)電特性參數(shù)認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,普賽斯教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)采用一體化設(shè)計(jì),集成了數(shù)字源表、LCR電橋、萬(wàn)用表、示波器等通用儀表;搭配豐富的測(cè)試...

    型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 13:15:06 對(duì)比
    數(shù)字源表mos靜態(tài)電特性光耦靜態(tài)電特性參數(shù)IV掃描源表
  • 數(shù)字源表IV掃描光耦/mos靜態(tài)電特性參數(shù)

    數(shù)字源表IV掃描光耦/mos靜態(tài)電特性參數(shù)認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,普賽斯教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)采用一體化設(shè)計(jì),集成了數(shù)字源表、LCR電橋、萬(wàn)用表、示波器等通用儀表;搭配豐富的測(cè)試...

    型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 13:12:52 對(duì)比
    數(shù)字源表mos靜態(tài)電特性光耦靜態(tài)電特性電特性參數(shù)測(cè)試
  • 高精度源表搭建高校微電子教學(xué)方案

    普賽斯儀表推出高精度源表搭建高校微電子教學(xué)方案的為學(xué)生提供豐富的教學(xué)資源以及貼近現(xiàn)實(shí)的產(chǎn)業(yè)環(huán)境,支撐集成電路相關(guān)課程的教學(xué)與實(shí)訓(xùn),且能進(jìn)行項(xiàng)目開發(fā)和師資培訓(xùn),打...

    型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 12:20:40 對(duì)比
    高精度源表微電子教學(xué)數(shù)字源表高精密源表
  • 電化學(xué)循環(huán)伏安測(cè)試用高精度源表

    電化學(xué)電池的三個(gè)電極是工作電極 (WE)、基準(zhǔn)電極 (RE) 和反(或輔助)電極 (CE)。WE 和 CE 之間使用雙極性可編程電源進(jìn)行電壓掃描。RE與 WE ...

    型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 12:15:23 對(duì)比
    電化學(xué)伏安測(cè)試儀電化學(xué)循環(huán)測(cè)試伏安測(cè)試儀高精度源表源表
  • 電池片IV檢測(cè)儀光伏電池曲線掃描源表

    電池片IV檢測(cè)儀光伏電池曲線掃描源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,對(duì)太陽(yáng)能電池進(jìn)行電流-電壓(I-V)特性分析對(duì)推導(dǎo)有關(guān)其性能的重要參數(shù)至關(guān)重要,包括Z大電流(I...

    型號(hào): S200 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 9:23:04 對(duì)比
    電池片IV檢測(cè)儀電池片檢測(cè)儀太陽(yáng)能電池片測(cè)試太陽(yáng)能檢測(cè)儀IV掃描源表
  • 數(shù)字源表在半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試上的應(yīng)用

    霍爾效應(yīng)是一種電磁感應(yīng)現(xiàn)象,當(dāng)電流垂直于外磁場(chǎng)通過半導(dǎo)體時(shí),載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn),垂直于電流和磁場(chǎng)的方向會(huì)產(chǎn)生一附加電場(chǎng),霍爾效應(yīng)測(cè)試中我們一般測(cè)試霍爾電壓VH、電阻...

    型號(hào): S100/S200... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:03:47 對(duì)比
    源表霍爾效應(yīng)測(cè)試數(shù)字源表霍爾測(cè)試數(shù)字源表應(yīng)用
  • 數(shù)字源表IV掃描光電二極管PD

    數(shù)字源表IV掃描光電二極管PD認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源...

    型號(hào): S100 所在地:武漢市參考價(jià): ¥32000更新時(shí)間:2024/1/1 21:22:34 對(duì)比
    源表數(shù)字源表源表IV掃描IV源表高精度源表
  • 電化學(xué)實(shí)驗(yàn)室循環(huán)伏安測(cè)試源表

    電化學(xué)實(shí)驗(yàn)室循環(huán)伏安測(cè)試源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,國(guó)產(chǎn)自主研發(fā),廠家Z銷!性價(jià)比高,測(cè)試范圍更廣,輸出電壓高達(dá)300V,支持USB存儲(chǔ),一鍵導(dǎo)出報(bào)告,

    型號(hào): S100 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 21:16:07 對(duì)比
    電化學(xué)伏安測(cè)試儀電化學(xué)實(shí)驗(yàn)室循環(huán)測(cè)試伏安測(cè)試儀循環(huán)伏安測(cè)試儀
  • 太陽(yáng)能電池板特性參數(shù)測(cè)試數(shù)字源表

    太陽(yáng)能電池板特性參數(shù)測(cè)試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,對(duì)太陽(yáng)能電池進(jìn)行電流-電壓(I-V)特性分析對(duì)推導(dǎo)有關(guān)其性能的重要參數(shù)至關(guān)重要,包括Z大電流(Ima...

    型號(hào): S100/S200... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 21:14:09 對(duì)比
    電池板特性參數(shù)電池板特性測(cè)試數(shù)字源表太陽(yáng)能特性參數(shù)太陽(yáng)能特性測(cè)試
  • 三維材料電性能測(cè)試VI源表

    三維材料電性能測(cè)試VI源表普賽斯儀表國(guó)產(chǎn)自主研發(fā),性價(jià)比高,測(cè)試范圍更廣,輸出電壓高達(dá)300V,支持USB存儲(chǔ),一鍵導(dǎo)出報(bào)告,符合大環(huán)境下國(guó)內(nèi)技術(shù)自給的需求,

    型號(hào): S100/S200... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 20:02:52 對(duì)比
    源表VI源表三維材料電性能測(cè)試三維材料VI測(cè)試數(shù)字源表
  • 國(guó)產(chǎn)源表搭建晶體管IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)

    普賽斯儀表開發(fā)的半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試方案,由一臺(tái)或兩臺(tái)源精密源測(cè)量單元(SMU)、夾具或探針臺(tái)、上位機(jī)軟件構(gòu)成,國(guó)產(chǎn)源表搭建晶體管IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)認(rèn)準(zhǔn)普...

    型號(hào): S100/S200... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 19:59:01 對(duì)比
    源表國(guó)產(chǎn)源表晶體管IV測(cè)試IV特性測(cè)試晶體管特性測(cè)試
  • 國(guó)產(chǎn)源表用于四探針法測(cè)半導(dǎo)體電阻率實(shí)驗(yàn)

    四探針技術(shù)要求使用四根探針等間距的接觸到材料表面。在外邊兩根探針之間輸出電流的同時(shí),測(cè)試中間兩根探針的電壓差。后,電阻率通過樣品的幾何參數(shù),輸出電流源和測(cè)到的電...

    型號(hào): S100/S200... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 19:54:55 對(duì)比
    源表國(guó)產(chǎn)源表四探針法測(cè)電阻半導(dǎo)體電阻率測(cè)試實(shí)驗(yàn)
  • 源表用于激光二極管LD的LIV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)

    普賽斯儀表開發(fā)的LIV測(cè)試系統(tǒng)采用國(guó)產(chǎn)S型數(shù)字源表為核心,結(jié)合測(cè)試軟件以及第三方設(shè)備積分球探測(cè)器完成LD的LIV測(cè)試。系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、精度高、可靠性好、速度快,提...

    型號(hào): S100 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 19:52:39 對(duì)比
    源表數(shù)字源表S型源表S型數(shù)字源表LIV特性測(cè)試
  • 國(guó)產(chǎn)源表用于太陽(yáng)能電池特性表征實(shí)驗(yàn)

    普賽斯儀表的測(cè)試方案通過自主研發(fā)的軟件可對(duì)每個(gè)電池單元獨(dú)立或順序IV特性測(cè)試,顯示IV特性曲線和Isc, Voc,Pmax, FF, η和電池表面溫度等參數(shù),每...

    型號(hào): S100/S200... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 19:50:17 對(duì)比
    源表國(guó)產(chǎn)源表太陽(yáng)能電池特性表征源表應(yīng)用國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表
  • S型數(shù)字源表測(cè)三極管MOS管搭建方案

    S型數(shù)字源表測(cè)三極管MOS管搭建方案找普賽斯儀表,普賽斯數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)自主研發(fā),對(duì)標(biāo)美國(guó)2400,B2901;可實(shí)現(xiàn)“源"的輸出和“表"的測(cè)量同步進(jìn)行,提高測(cè)試效...

    型號(hào): S100 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 19:39:26 對(duì)比
    源表數(shù)字源表S型源表S型數(shù)字源表源表搭建方案

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