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IGBT是通過門極電容的充放電來控制開通和關(guān)斷，門極電容的充放電通過門極驅(qū)動(dòng)電阻來控制，門極驅(qū)動(dòng)電阻的大小影響lGBT的開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、反向偏壓安全工作區(qū)、短路安全工作區(qū)等，還與電路的EMI、du/dt、di/dt等有著密切的關(guān)系，門極驅(qū)動(dòng)電阻的選擇是驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的重要部分。附表是驅(qū)動(dòng)電阻的變化與驅(qū)動(dòng)電路參數(shù)的關(guān)系。
附表 驅(qū)動(dòng)電阻于開關(guān)參數(shù)的關(guān)系
從附表可以看出，門極驅(qū)動(dòng)電阻越大，開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)脈沖上升下降時(shí)間就越少，相反，減少驅(qū)動(dòng)電阻，開關(guān)損耗和脈沖上升下降時(shí)間就會(huì)增加。門極驅(qū)動(dòng)電流的峰值可以表示為VG(on) 正偏壓電源電壓；
VG(off) 負(fù)偏壓電源電壓；
RG 驅(qū)動(dòng)電路門極電阻；
RG(int) 模塊內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)電阻。
(1)額定電流大的器件門極驅(qū)動(dòng)電阻較小，額定電流小的器件，門極驅(qū)動(dòng)電阻比較大。
(2)驅(qū)動(dòng)電阻的選值可以取IGBT手冊標(biāo)注的電阻值的兩倍。由于手冊標(biāo)注的電阻往往是最小的電阻，所以可以考慮選取兩倍的電阻作為參考電阻，這樣可以保證IGBT發(fā)生特殊情況時(shí)可靠關(guān)斷。
開通電阻RG(on)往往比關(guān)斷電阻RG(off)小，一般開通電阻可以取到關(guān)斷電阻的1/2。
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