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電源作所有電子產(chǎn)品的心臟，無處不在 ，據(jù)不統(tǒng)計(jì)，電子產(chǎn)品損壞的故障60%源自于電源，但目前電源行業(yè)似乎成了門檻很低的行業(yè)，似乎搞清楚幾種典型的 拓?fù)?，知道變壓器怎么繞的就可以做好電源。其實(shí)，業(yè)類人士都知道，做一個(gè)好的電源使其輸出5V電壓并不難，難的是做好一個(gè)電源，在不同環(huán)境溫度，不同輸入電壓，不同負(fù)載下工作，滿足各種EMC指標(biāo)，散熱良好，具有電路保護(hù)等功能的電源難度就很大了，電源仍然是高技術(shù)難度的行業(yè)。開關(guān)電源核心的整流濾波電路、功率變換電路、PWM控制器電路，電路保護(hù)功能等都離不開各種晶體管，MOS，IGBT等。
華科智源，致力于電力電子測試方案提供商,主要提供電力電子相關(guān)的大功率分立器件測試儀、IGBT測試儀、變流器IGBT測試儀，
牽引系統(tǒng)IGBT測試儀，半導(dǎo)體參數(shù)圖示儀、IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀、MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀、IPM測試儀、雪崩耐量測試儀、
浪涌測試儀等功率半導(dǎo)體測試設(shè)備。
隨著泰克經(jīng)典圖示儀370B停產(chǎn)多年，并淡出人們視線，傳統(tǒng)的圖示儀在精度，量程，可靠性以及可生成曲線種類的局限性，無法編程控制，數(shù)據(jù)沒法回溯，數(shù)據(jù)存儲操作復(fù)雜，測試效率低等多方面的因素，在電源設(shè)計(jì)，來料檢驗(yàn)以及失效分析等環(huán)節(jié)有相當(dāng)大額局限性，尤其在高效率精密電源的關(guān)鍵元器件的選型和質(zhì)量管控上更是顯得捉襟見肘；
近幾年來，以華科智源科技有限公司研發(fā)生產(chǎn)的 HUSTEC-5000系列半導(dǎo)體測試儀為代表的 新一代圖示儀異軍突起，受到了類似于臺達(dá)，艾默生，康舒電子等相當(dāng)一部分國際電源大公司的青睞，它的電壓的標(biāo)準(zhǔn)配置是2000V,電流標(biāo)準(zhǔn)配置達(dá)50A，可擴(kuò)展至 100A,200A,500A,750A,1000A,1250A，可測試器件的種類覆蓋了 幾乎所有的半導(dǎo)體器件，二三極管，MOS管，可控硅，IGBT，光耦，繼電器等19大類27小類的產(chǎn)品， 其電流分辨率達(dá)到0.1nA,通過擴(kuò)展選件可達(dá)到10pA,電壓分辨率為1mV，HUSTEC-5000系列晶體管圖示儀配有的標(biāo)準(zhǔn)特性曲線，自己有自檢功能以及自動校準(zhǔn)功能，這些的性能，使它征服了很多經(jīng)典370B的粉絲。
下面我們來具體了解下 HUSTEC-5000晶體管圖示儀的相關(guān)應(yīng)用:
在電源設(shè)計(jì)階段，工程師們?yōu)榱诉_(dá)成預(yù)定的設(shè)計(jì)目標(biāo)，在前期器件選型的過程中會謹(jǐn)慎的留有余量，并會持續(xù)關(guān)注器件的真實(shí)反應(yīng)是否和規(guī)格書datesheet上的表述那樣。開關(guān)電源的核心器件離不開各種 開關(guān)管，通常見的是 MOSFET，大功率的 會用到IGBT，照明電源三極管居多。
我們以MOSFET為例子，下面是用華科智源科技有限公司 HUSTEC-5000系列晶體管圖示儀實(shí)測的一顆 IRF610得到的輸出特性曲線，曲線反應(yīng)了漏源電壓VDS對Id的影響；
從圖中我們能夠清楚地看到可變電阻區(qū)，當(dāng)VDS較小時(shí)，ID與VDS呈線性關(guān)系，隨著VGS增加，對應(yīng)的曲線的斜率也相應(yīng)增大，此時(shí)可以近似看作是一個(gè)可用VGS調(diào)節(jié)的可變電阻。在平常使用過程中，MOSFET作為壓控電阻時(shí)我們比較關(guān)注這段曲線的情況。在飽和區(qū)時(shí)可以看出VDS的增大時(shí)不會影響到ID，這是我們關(guān)注的的電氣特性。通過曲線特征觀測，工程師就能很明確的了解選用的器件特性如何，給器件選型提供判定的依據(jù)。
RDS（on）也是器件選型中很關(guān)鍵的參數(shù)，RDS（on）小的話有利于減少溫升，但這個(gè)參數(shù)不是越小越好，還要考慮電路的驅(qū)動能力以及工作頻率。通過HUSTEC-5000可以非常直觀的看到器件RDS（on）與ID之間的關(guān)系，隨著ID的增加RDS（on）會稍微變大，但是當(dāng)ID達(dá)到一定值之后，RDSON顯著增加，說明這個(gè)階段升溫比較快。如上圖所示。
再看看VGS對RDS（on）的影響,開始的時(shí)候電阻很大，隨著VGS增大器件導(dǎo)通并保持的阻值。
另外我們關(guān)注的截止?fàn)顟B(tài)IDSS對應(yīng)VDS的曲線也很容易實(shí)現(xiàn)，一眼就能看到擊穿點(diǎn)的位置。
華科智源科技有限公司 HUSTEC-5000系列晶體管圖示儀能夠測試的元器件種類很多，二極管、穩(wěn)壓管、可控硅、光耦、IGBT等等，單一器件的輸出曲線特性種類很豐富，上面僅就MOSFET舉個(gè)例子。更關(guān)鍵的是的曲線是程控的，所有的測試條件都可以保存為一個(gè)程序，同一個(gè)器件或者同一批次的器件下次再做測試的時(shí)候，可以直接調(diào)用之前保存的程序，基于Window界面的操作軟件，非常簡單，只需要完成簡單的填空就可以。
測試數(shù)據(jù)可以直接保存在Excel表格里面，以便于進(jìn)一步的分析和處理，如下圖所示。
在測試指標(biāo)通過，進(jìn)入量產(chǎn)階段，華科智源科技有限公司 HUSTEC-5000系列晶體管圖示儀仍然會有很大的用途，在器件來料檢驗(yàn)階段，實(shí)力雄厚的大廠往往對品質(zhì)要求非常之嚴(yán)格，格外的注重自身品牌的影響力。雖然選擇的器件是的器件，但是他們的來料檢驗(yàn)還是必要的，有些元器件一級級的分很多代理去銷售，代理商之間可能會相互串貨，不怕一萬就怕萬一，難保會有緊俏缺貨的時(shí)候，市場又魚龍混雜，打著同樣mark的料，可能身世各不相同。
測試量大就更要求程序控制，高速自動測試的同時(shí)數(shù)據(jù)自動存儲在EXCEL，良品不良品能夠進(jìn)行自動判定。不管是NMOS還是PMOS，還是二三極管，IGBT等等都可以測試，如下圖所示幾乎規(guī)格書上會有的所有DC參數(shù)都涵蓋了。
而產(chǎn)品量產(chǎn)階段同樣會有尋找成本更低并且仍能滿足要求的替代器件的需求。成本的降低會直接導(dǎo)致利潤的提高，這時(shí)候華科智源 HUSTEC-5000系列晶體管圖示儀能夠通過測試數(shù)據(jù)對比，來判定新找的器件是能夠有效替代。
HUSTEC-5000系列晶體管圖示儀還有一個(gè)非常有效的應(yīng)用領(lǐng)域，就是失效分析領(lǐng)域，在發(fā)生品質(zhì)事故時(shí)，往往需要做失效分析，這是ENJ2005會成為一個(gè)得力的助手。在一些半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家如銀茂微電子，力特電子等，甚至一些第三方的專門做失效分析的檢測機(jī)構(gòu)，如深圳美信檢測，深圳帆泰檢測也在使用HUSTEC-5000做檢測，所以它的測試結(jié)果很有說服力