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650V IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實現(xiàn)功率密度

閱讀:112發(fā)布時間:2026-3-31

2018年6月1日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)進一步壯大其薄晶圓技術TRENCHSTOP™5 IGBT產品陣容。新的產品家族可提供40 A 650V IGBT,它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度日益增長的需求,適于使用自動化表面貼裝生產線。要求功率密度和能效的典型應用包括太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電池充電和蓄電等。

 

英飛凌的超薄TRENCHSTOP 5技術可以縮小芯片尺寸、提高功率密度。得益于此,英飛凌將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競爭對手的D2PAK封裝產品,這個新的產品家族的額定參數(shù)高于市場上的所有其他產品,其他組合封裝解決方案的功率僅為其75%。

 

新器件的高功率密度允許設計人員升級現(xiàn)有設計,開發(fā)輸出功率提高最多25%的新平臺,或者減少并聯(lián)功率器件數(shù)量,從而實現(xiàn)更緊湊的設計。無二的組合封裝40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247,用于表面貼裝。這可支持輕松焊接,實現(xiàn)快速且可靠的貼裝生產線。

華科智源專業(yè)提供IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀,靜態(tài)參數(shù)測試儀,IGBT雙脈沖測試臺,功率循環(huán)測試設備。

 

 

關鍵字:650V IGBT  D2PAK封裝 IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀

 



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