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更新時間：2023-01-14 07:47:47瀏覽次數(shù)：486次
聯(lián)系我時，請告知來自 儀表網(wǎng)化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDeposition,CVD)是指高溫環(huán)境下氣態(tài)反應(yīng)劑在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程，廣泛應(yīng)用于金屬、氧化物、氮化物及碳化物等無機薄膜的制備
化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)是指高溫環(huán)境下氣態(tài)反應(yīng)劑在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程，廣泛應(yīng)用于金屬、氧化物、氮化物及碳化物等無機薄膜的制備。PECVD(Plasma Enhanced CVD)是借助射頻使氣體電離產(chǎn)生局部等離子體，等離子體活性可有效促進反應(yīng)，從而降低反應(yīng)溫度，加快成膜速率。
技術(shù)參數(shù)：
1 基片尺寸可定制；
2 低溫工藝：< 150℃ / 350℃；
3 多層式工藝氣體導(dǎo)入，氣體分布均勻；
4 獨立MFC控制箱，可靈活擴充工藝氣路；
5 基片內(nèi)鍍膜均勻性優(yōu)于 ±5%；
6 可與手套箱集成；
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