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更新時(shí)間：2023-01-14 07:56:57瀏覽次數(shù)：334次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 儀表網(wǎng)矽碁科技利用PEALD和PECVD各自鍍膜的特點(diǎn)為用戶開(kāi)發(fā)了PECVDPEALD聯(lián)合鍍膜系統(tǒng)，用于半導(dǎo)體工藝中的薄膜封裝
矽碁科技利用PEALD和PECVD各自鍍膜的特點(diǎn)為用戶開(kāi)發(fā)了PECVD&PEALD聯(lián)合鍍膜系統(tǒng)，用于半導(dǎo)體工藝中的薄膜封裝。ALD技術(shù)可以制備非常薄，非常致密的薄膜，但ALD技術(shù)制備致密薄膜需要的時(shí)間比較長(zhǎng)，這在工業(yè)生產(chǎn)中是不能容忍的。為了克服ALD鍍膜速度慢的劣勢(shì)，將其與PECVD快速制備介質(zhì)薄膜的技術(shù)集成到一起，可以實(shí)現(xiàn)多種不同材料交替堆疊的薄膜結(jié)構(gòu)。實(shí)踐證明，這種交替結(jié)構(gòu)的薄膜封裝性能可以達(dá)到與ALD技術(shù)同等的封裝效果，同時(shí)降低了整個(gè)封裝過(guò)程占用的時(shí)間。
ALD
1 不銹鋼腔體，雙層加熱設(shè)計(jì)；
2 等離子體增強(qiáng)模塊集成于腔體上蓋；
3 進(jìn)口高速ALD隔膜閥；
4 12英寸基片；
5 基片加熱400℃；
6 最多可提供6路前驅(qū)物和6路工藝氣體；
7 氣路全金屬密封，并可加熱至120℃；
8 可提供前驅(qū)體鋼瓶加熱或冷卻；
9 可全自動(dòng)控制工藝過(guò)程，同時(shí)也可以手動(dòng)操作。
PECVD
1 基片尺寸可定制；
2 低溫工藝：< 150℃ / 350℃；
3 多層式工藝氣體導(dǎo)入，氣體分布均勻；
4 獨(dú)立MFC控制箱，可靈活擴(kuò)充工藝氣路；
5 基片內(nèi)鍍膜均勻性優(yōu)于 ±5%；
6 可與手套箱集成；
多層薄膜封裝技術(shù)
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