詳細(xì)摘要： SYSKEY可提供反應(yīng)離子刻蝕和電感耦合反應(yīng)離子刻蝕，支持 8 英寸樣品。
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-08-11 在線留言上海德竹芯源科技有限公司
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上海德竹芯源科技有限公司
詳細(xì)摘要： SYSKEY可提供反應(yīng)離子刻蝕和電感耦合反應(yīng)離子刻蝕，支持 8 英寸樣品。
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詳細(xì)摘要： Picosun R-200 系列原子層沉積系統(tǒng)是一款多功能的原子層沉積平臺(tái)，是用于研發(fā)的理想選擇，適用于 IC 器件、MEMS 器件、顯示器、LED、激光器以及...
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詳細(xì)摘要： 多腔互聯(lián)鍍膜系統(tǒng)可滿足器件樣品在全真空環(huán)境下制備，所有膜層之間不接觸空氣，有利于器件性能的提高，通常多腔體系統(tǒng)可集成多種薄膜沉積技術(shù)和薄膜前后處理技術(shù)。
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詳細(xì)摘要： PICOSUN? R-200 標(biāo)準(zhǔn) ALD 系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如 IC 組件、MEMS 設(shè)備、顯示器、LED、激光器和 3D 對(duì)象，例如透鏡、光學(xué)器...
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詳細(xì)摘要： PICOSUN? P-300 系統(tǒng)擁有的熱壁、獨(dú)立的前驅(qū)體管路和特殊的載氣設(shè)計(jì)，確保可以生產(chǎn)出具有優(yōu)異的成品率、低顆粒水平和的電學(xué)和光學(xué)性能的高質(zhì)量 ALD 薄...
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詳細(xì)摘要： 這款用于實(shí)驗(yàn)和研發(fā)的小規(guī)模生產(chǎn)立式爐管實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量的處理。該立式爐管很緊湊，只需要很小的安裝面積，但可用于各種直徑的晶圓，具有與量產(chǎn)爐相同的溫度特性。
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-08-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 低壓化學(xué)氣相淀積（LPCVD）是在低壓條件下通過(guò)氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面淀積一層固體膜的工藝。例如：氮化硅薄膜淀積、多晶硅薄膜淀積、非晶硅薄膜淀積、二氧化硅...
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詳細(xì)摘要： 適用于常壓干氧氧化、濕氧氧化、氫氧合成氧化、擴(kuò)散、退火/推進(jìn)、合金等工藝。
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詳細(xì)摘要： 這款配有自動(dòng)輸送機(jī)的低成本立式爐管可用于從研發(fā)到批量生產(chǎn) 4 至 8 英寸晶圓的一系列功能。提供超高溫處理，非常適合功率器件制造。
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詳細(xì)摘要： 對(duì)傳統(tǒng)熱蒸發(fā)技術(shù)難以實(shí)現(xiàn)的材料蒸發(fā)，可采用電子束蒸發(fā)的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。不同于傳統(tǒng)的輻射加熱和電阻絲加熱，高能電子束轟擊可實(shí)現(xiàn)超過(guò)3000℃的局域高溫，這使得絕大部分...
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詳細(xì)摘要： 主要應(yīng)用晶圓顯影后的底膠去除或者干法蝕刻工藝后變性的光刻膠去除，光刻膠的去除及對(duì)樣片是否有損傷，將影響到后續(xù)工藝和器件的性能。
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詳細(xì)摘要： 磁控濺射是物理氣相沉積技術(shù) (Physical Vapor Deposition, PVD) 的一種。一般用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等薄膜材料，具有設(shè)備簡(jiǎn)單、...
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詳細(xì)摘要： 主要應(yīng)用晶圓顯影后的底膠去除或者干法蝕刻工藝后變性的光刻膠去除，光刻膠的去除及對(duì)樣片是否有損傷，將影響到后續(xù)工藝和器件的性能。
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詳細(xì)摘要： 本設(shè)備是利用超短脈沖激光實(shí)現(xiàn)碳化硅晶圓高質(zhì)量、高效率的切割加工。
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詳細(xì)摘要： 金屬有機(jī)物前驅(qū)體和反應(yīng)氣體在真空腔體交替填充、覆蓋且反應(yīng)，形成原子級(jí)精度（厚度和原子排布）的薄膜。
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-08-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 等離子體光譜儀器Crookesl，針對(duì)半導(dǎo)體等離子體工藝設(shè)備開(kāi)發(fā)，兼具原位監(jiān)控和譜線分析功能，解決等離子體工藝穩(wěn)定度監(jiān)控，等離子體工藝過(guò)程監(jiān)控，等離子體工藝實(shí)時(shí)...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-08-10 在線留言
詳細(xì)摘要： SWA-20US 適用晶圓尺寸 6 寸及以下晶圓激光退火，具有晶圓厚度檢測(cè)、激光功率檢測(cè)、激光束圖形檢測(cè)、激光焦點(diǎn)檢測(cè)功能。
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-08-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是一種利用等離子體為沉積反應(yīng)提供能量的化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)。PECVD可替代傳統(tǒng)CVD在較低的溫度下沉積各種薄膜，且...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-08-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 在真空環(huán)境下用熱阻絲加熱的方式將材料加熱到蒸發(fā)，真空腔室內(nèi)的基片和襯底表面會(huì)形成薄膜或涂層，此過(guò)程被稱為真空熱蒸鍍，加熱材料的方式主要有熱舟式和坩堝式。
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-08-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 金屬有機(jī)物前驅(qū)體和反應(yīng)氣體在真空腔體交替填充、覆蓋且反應(yīng)，形成原子級(jí)精度（厚度和原子排布）的薄膜。
產(chǎn)品型號(hào)：ALD-SC6-PE / ALD-SC8-PE/ ALD-SC12-PE所在地：上海更新時(shí)間：2024-01-19 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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