設(shè)備特點(diǎn)
•磁控濺射系統(tǒng)性能：設(shè)備搭載磁控濺射系統(tǒng)，通過優(yōu)化磁場(chǎng)分布與濺射參數(shù)調(diào)控，能夠有效提升薄膜沉積過程中的均勻性 —— 確保晶圓表面不同區(qū)域的薄膜厚度、成分保持一致，減少因薄膜不均導(dǎo)致的產(chǎn)品性能差異；同時(shí)，該系統(tǒng)可優(yōu)化靶材的濺射路徑，減少靶材的無效消耗，顯著提高靶材利用率，降低材料浪費(fèi)，幫助企業(yè)控制原材料成本。
•溫度控制組件設(shè)計(jì)：設(shè)備配備專業(yè)的加熱基座與高溫靜電卡盤，二者協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)良好的溫度均勻性。加熱基座采用精準(zhǔn)的溫度傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，可避免局部過熱或溫度不足的情況；高溫靜電卡盤則能緊密吸附晶圓，確保晶圓與基座間的熱傳導(dǎo)穩(wěn)定，進(jìn)一步保障晶圓整體溫度分布均勻。穩(wěn)定的溫度環(huán)境為后續(xù)工藝提供了可靠基礎(chǔ)，減少因溫度波動(dòng)對(duì)薄膜質(zhì)量、刻蝕效果等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的影響。
•雙腔傳輸平臺(tái)配置：設(shè)備采用全新雙腔傳輸平臺(tái)，具備較強(qiáng)的可配置性 —— 企業(yè)可根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)需求，靈活調(diào)整平臺(tái)的運(yùn)行參數(shù)與模塊組合方式；同時(shí)，該平臺(tái)支持接入 10 個(gè)工藝模塊，能夠?qū)崿F(xiàn)多道工藝的集成化處理，無需頻繁轉(zhuǎn)移晶圓至不同設(shè)備，大幅縮短生產(chǎn)流程耗時(shí)，提升整體生產(chǎn)效率。
•缺陷解決方案效果：設(shè)備針對(duì) Whisker Defect（晶須缺陷）配備了優(yōu)秀的解決方案，通過優(yōu)化工藝參數(shù)（如濺射功率、溫度控制）、改進(jìn)腔室內(nèi)部環(huán)境等方式，有效抑制晶須缺陷的產(chǎn)生，降低產(chǎn)品表面的缺陷率。這一設(shè)計(jì)減少了因缺陷導(dǎo)致的不合格品，提升了產(chǎn)品良率，間接降低了企業(yè)的生產(chǎn)成本與返工成本。
•產(chǎn)能與運(yùn)營(yíng)成本優(yōu)勢(shì)：在產(chǎn)能方面，設(shè)備具備較大的處理能力，單位時(shí)間內(nèi)可完成更多晶圓的加工任務(wù)，能夠滿足企業(yè)規(guī)?；a(chǎn)的需求，助力提升整體產(chǎn)能；在運(yùn)營(yíng)成本上，設(shè)備運(yùn)行過程中能耗較低，且日常維護(hù)頻率較低、維護(hù)操作難度較小，所需維護(hù)配件的更換成本也相對(duì)可控，有效降低了企業(yè)長(zhǎng)期運(yùn)營(yíng)過程中的資金投入。
產(chǎn)品應(yīng)用
•晶圓尺寸適配性：設(shè)備在晶圓尺寸適配方面專注于 12 英寸晶圓的加工處理，針對(duì) 12 英寸晶圓的尺寸特性優(yōu)化了腔室結(jié)構(gòu)、傳輸路徑與工藝參數(shù)，能夠穩(wěn)定實(shí)現(xiàn) 12 英寸晶圓的精準(zhǔn)加工，無需額外進(jìn)行復(fù)雜的設(shè)備改造或參數(shù)調(diào)試，確保 12 英寸晶圓生產(chǎn)過程中的穩(wěn)定性與一致性，滿足企業(yè)對(duì)大尺寸晶圓加工的需求。
•適用材料范圍：設(shè)備可適配鋁、氮化鉭、氮化鈦、鈦等多種金屬及金屬化合物材料的加工需求。針對(duì)不同材料的物理特性（如熔點(diǎn)、硬度）與化學(xué)特性（如反應(yīng)活性、導(dǎo)電性），設(shè)備通過調(diào)整磁控濺射參數(shù)、溫度控制范圍等，確保各類材料在沉積過程中能夠形成質(zhì)量穩(wěn)定的薄膜，滿足后續(xù)工藝對(duì)材料性能的要求，為半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電層、保護(hù)層等結(jié)構(gòu)制造提供支持。
•適配工藝類型：設(shè)備可廣泛支持 AlPad（鋁焊盤）、鋁線、熱鋁等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)。其中，AlPad 工藝用于制造半導(dǎo)體器件的電極引出端，設(shè)備可保障鋁焊盤的平整度與導(dǎo)電性；鋁線工藝用于芯片內(nèi)部的金屬互聯(lián)，設(shè)備能精準(zhǔn)控制鋁線的線寬與厚度；熱鋁工藝則針對(duì)高溫環(huán)境下的鋁材料加工需求，設(shè)備通過穩(wěn)定的溫度控制確保熱鋁工藝的順利實(shí)施，為不同工藝環(huán)節(jié)的質(zhì)量提供保障。
•覆蓋應(yīng)用領(lǐng)域：設(shè)備的應(yīng)用領(lǐng)域集中在集成電路、功率半導(dǎo)體、硅基微型顯示三大領(lǐng)域。在集成電路領(lǐng)域，可為芯片的金屬互聯(lián)層、電極結(jié)構(gòu)制造提供支持；在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，能夠滿足功率器件中導(dǎo)電層、緩沖層的加工需求，保障器件的耐高壓、大電流性能；在硅基微型顯示領(lǐng)域，可用于顯示面板中金屬電極、連接線路的制造，助力提升顯示面板的分辨率與穩(wěn)定性。
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