設備特點
•專業(yè)的氣流場和溫度場設計：通過優(yōu)化氣流通道結構與加熱組件布局，實現(xiàn)反應氣體在工藝腔室內的均勻擴散，同時保證晶圓表面溫度分布的高度一致性，有效避免因氣流、溫度不均導致的外延層質量問題，最終獲得優(yōu)異的工藝性能，確保外延片各項參數(shù)達標；
•高精度的壓力控制系統(tǒng)：搭載高靈敏度壓力檢測元件與快速響應的壓力調節(jié)裝置，能夠實時監(jiān)測并調整工藝腔室內壓力，將壓力波動控制在極小范圍內，為薄膜生長提供穩(wěn)定的壓力環(huán)境，從根本上保證成膜質量的穩(wěn)定性與可靠性；
•穩(wěn)定的傳輸和電機升降系統(tǒng)：傳輸系統(tǒng)采用平穩(wěn)的輸送機構，可避免晶圓在傳輸過程中產生晃動或位置偏移；電機升降系統(tǒng)則具備高精度定位能力，能精準調節(jié)工藝相關部件的高度，兩者協(xié)同工作可盡可能限度減少工藝誤差，保證不同批次、不同位置晶圓的工藝結果一致性；
•友好的人機交互和全面的安全性設計：人機交互界面采用直觀的操作邏輯，工作人員可便捷地設置工藝參數(shù)、監(jiān)控設備運行狀態(tài)，降低操作復雜度；安全性設計覆蓋過載保護、異常報警、緊急停機等功能，能實時監(jiān)測設備運行風險，及時響應突發(fā)狀況，保障設備系統(tǒng)穩(wěn)定、操作人員安全及整體生產高效；
•靈活的機型選擇：提供單腔和多腔兩種機型，單腔機型適合小批量生產、工藝研發(fā)等場景，多腔機型則能滿足大規(guī)模量產需求，可根據(jù)客戶的產能規(guī)劃與應用場景，提供個性化的設備配置方案。
產品應用
•晶圓尺寸適配：兼容 6 英寸與 8 英寸晶圓，無需對設備進行大規(guī)模改造即可切換不同尺寸晶圓的生產，提升設備在不同產線中的適用性，降低客戶的設備投入與產線調整成本；
•適用材料：專門針對硅材料設計，可滿足硅基外延工藝對反應材料的要求，契合集成電路、功率半導體等領域對高質量硅基材料的核心需求，為硅基半導體器件的制備提供基礎支持；
•適用工藝：可穩(wěn)定運行體硅外延、埋層外延、選擇性外延工藝 —— 體硅外延用于制備厚度均勻、純度高的硅襯底層；埋層外延用于在晶圓內部形成特定導電埋層，優(yōu)化器件電學性能；選擇性外延則可在晶圓指定區(qū)域生長硅膜，滿足復雜器件結構的制備需求；
•適用領域：廣泛應用于集成電路領域（用于芯片制造中關鍵的外延層制備環(huán)節(jié)）、功率半導體領域（助力高耐壓、高功率半導體器件的生產）、襯底材料領域（用于制備高性能硅襯底，為后續(xù)器件制造提供優(yōu)質基底）、科研領域（支持高校、科研機構開展半導體材料與外延工藝的研發(fā)實驗，推動相關技術創(chuàng)新）。
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