設(shè)備特點(diǎn)
•緊湊結(jié)構(gòu)，節(jié)省空間：通過一體化集成設(shè)計(jì)，將清洗、供液、控溫等功能濃縮于緊湊機(jī)身內(nèi)，相比傳統(tǒng)清洗設(shè)備占地面積減少約 20%-30%（具體比例因配置不同略有差異），可靈活嵌入密集型產(chǎn)線；
•模塊化配置，靈活擴(kuò)展：支持 “基礎(chǔ)模塊 + 可選模塊" 的組合模式，例如基礎(chǔ)配置包含 2-3 個(gè)清洗槽，客戶可根據(jù)工藝需求額外增加光刻膠剝離槽、金屬雜質(zhì)去除槽等，或擴(kuò)展化學(xué)試劑循環(huán)回收模塊，實(shí)現(xiàn)功能與產(chǎn)能的按需定制；
•成熟工藝槽，穩(wěn)定可靠：工藝槽內(nèi)壁經(jīng)過特殊拋光處理，減少試劑殘留與吸附，同時(shí)配備高效攪拌與溢流系統(tǒng)，確保槽內(nèi)試劑均勻性，長(zhǎng)期運(yùn)行后仍能維持穩(wěn)定的工藝效果，降低設(shè)備維護(hù)頻率；
•精確化學(xué)稱量，質(zhì)量可控：稱量精度可達(dá) ±0.1g（針對(duì)液態(tài)試劑），并具備試劑濃度實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與自動(dòng)補(bǔ)加功能，當(dāng)濃度低于設(shè)定閾值時(shí)，系統(tǒng)可自動(dòng)補(bǔ)充高濃度試劑，確保工藝全程試劑濃度穩(wěn)定，避免因濃度偏差導(dǎo)致的晶圓報(bào)廢風(fēng)險(xiǎn)。
產(chǎn)品應(yīng)用
•晶圓尺寸適配：明確支持 6 英寸與 8 英寸兩種主流晶圓規(guī)格，通過可調(diào)節(jié)的晶圓承載架與定位系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)不同尺寸晶圓的無縫切換，單臺(tái)設(shè)備即可滿足中小尺寸晶圓產(chǎn)線的清洗需求，無需為不同尺寸單獨(dú)配置設(shè)備；
•適用材料覆蓋：可處理硅（集成電路核心襯底材料）、碳化硅（功率半導(dǎo)體常用的寬禁帶半導(dǎo)體材料）、硅基氮化鎵（射頻器件、功率器件的關(guān)鍵材料），適配不同半導(dǎo)體材料的特性，針對(duì)每種材料的化學(xué)耐受性優(yōu)化清洗試劑與工藝參數(shù)，避免材料損傷；
•適用工藝場(chǎng)景：覆蓋半導(dǎo)體制造全流程的濕法工藝需求 —— 預(yù)清洗（晶圓進(jìn)入下一工序前的基礎(chǔ)清潔，去除表面浮塵與輕微污染）、去膠清洗（去除光刻工藝后殘留的光刻膠，為后續(xù)刻蝕或沉積做準(zhǔn)備）、氮化硅去除（選擇性剝離晶圓表面的氮化硅保護(hù)層或介質(zhì)層）、金屬去除（針對(duì)鈷、鈦等特定金屬雜質(zhì)或金屬層的精準(zhǔn)去除）、Recycle 清洗（通過試劑循環(huán)利用實(shí)現(xiàn)的經(jīng)濟(jì)型清洗，降低耗材成本）、拋光后清洗（去除化學(xué)機(jī)械拋光后的研磨顆粒與殘留漿料）、Epi 前 / 后清洗（外延工藝前去除襯底雜質(zhì)保障外延質(zhì)量，外延后清潔外延層表面污染物）；
•適用領(lǐng)域延伸：廣泛應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域（支撐邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片制造全流程的清洗需求）、襯底材料領(lǐng)域（用于硅襯底、碳化硅襯底制備過程中的表面清潔，確保襯底純度）、化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域（適配碳化硅、氮化鎵等化合物材料的清洗工藝，助力射頻、光電子器件制造）、功率半導(dǎo)體領(lǐng)域（針對(duì)功率器件的高可靠性需求，提供高精度的金屬雜質(zhì)去除與表面清潔，提升器件耐壓性與壽命）。
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