設(shè)備特點(diǎn)
•多尺寸與多類型晶體適配性
設(shè)備可穩(wěn)定支持 6 英寸、8 英寸兩種主流晶圓尺寸的 SiC 晶體生長，無需大規(guī)模改造設(shè)備結(jié)構(gòu)即可實(shí)現(xiàn)不同尺寸的工藝切換，適配從中小批量研發(fā)到大規(guī)模量產(chǎn)的不同需求。同時(shí)，針對導(dǎo)電型與高純半絕緣型兩類 SiC 晶體的生長特性差異，設(shè)備在熱場設(shè)計(jì)、氣氛控制等方面進(jìn)行了針對性優(yōu)化，滿足不同應(yīng)用場景對 SiC 晶體的性能需求。
•專業(yè)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)助力高純材料生長
設(shè)備采用定制化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，這些設(shè)計(jì)共同作用，為 SiC 晶體生長提供潔凈、穩(wěn)定的環(huán)境，助力制備高純度晶體。
•適配長時(shí) / 高溫 / 低壓工藝，拓寬生長窗口
SiC 晶體生長需在特定的苛刻條件下進(jìn)行（通常需長時(shí)間高溫加熱、低壓環(huán)境），設(shè)備通過強(qiáng)化加熱系統(tǒng)的穩(wěn)定性與腔室壓力控制精度，可適配這類工藝需求：加熱系統(tǒng)能長期維持晶體生長所需的高溫且溫度波動小，保障晶體生長速率穩(wěn)定；壓力控制系統(tǒng)可將腔室壓力精準(zhǔn)維持在低壓區(qū)間，減少雜質(zhì)與 SiC 熔體的反應(yīng)概率。這種工藝適配性拓寬了高質(zhì)量 SiC 晶體的生長參數(shù)范圍，讓操作人員可在更靈活的參數(shù)區(qū)間內(nèi)調(diào)整工藝，探索更優(yōu)的晶體生長方案，同時(shí)也為大規(guī)模生產(chǎn)中工藝的穩(wěn)定性提供保障。
•配套豐富輔助設(shè)備，*生產(chǎn)流程
設(shè)備并非單一的長晶裝置，而是可搭配多款輔助設(shè)備形成完整的晶體制備鏈條，包括大產(chǎn)能原料合成爐、晶錠退火爐、氮化鋁（AIN）長晶爐等：大產(chǎn)能原料合成爐可批量制備高純度 SiC 原料，滿足大規(guī)模長晶的原料供應(yīng)需求；晶錠退火爐用于長晶后的晶錠熱處理，減少晶錠內(nèi)部應(yīng)力，提升晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性；AIN 長晶爐則可同步制備 AIN 晶體（AIN 常用于高頻、高溫器件襯底），進(jìn)一步拓展設(shè)備的應(yīng)用場景。輔助設(shè)備與主長晶爐的協(xié)同，能提升整體生產(chǎn)效率，減少不同設(shè)備間的工藝銜接誤差。
產(chǎn)應(yīng)用
•晶圓尺寸適配
明確支持 6 英寸與 8 英寸晶圓對應(yīng)的 SiC 晶體生長，設(shè)備的晶體生長腔室、熱場組件、晶錠取出結(jié)構(gòu)等均針對這兩種尺寸優(yōu)化 —— 例如 8 英寸晶體生長時(shí)，腔室空間可容納更大尺寸的晶錠，熱場設(shè)計(jì)確保晶錠各區(qū)域溫度均勻，避免因尺寸增大導(dǎo)致的晶體質(zhì)量不均，適配當(dāng)前 SiC 襯底從 6 英寸向 8 英寸升級的產(chǎn)業(yè)趨勢。
•適用材料覆蓋
主要適配碳化硅（SiC）與氮化鋁（AIN）兩種寬禁帶半導(dǎo)體材料：
碳化硅（SiC）：作為核心適用材料，可生長導(dǎo)電型與高純半絕緣型 SiC 晶體，用于制備功率半導(dǎo)體襯底、射頻器件襯底；
氮化鋁（AIN）：通過配套的 AIN 長晶爐實(shí)現(xiàn)生長，AIN 具備優(yōu)異的導(dǎo)熱性與絕緣性，常用于高頻通信器件、高溫傳感器等領(lǐng)域的襯底材料，設(shè)備對兩種材料的兼容能力可滿足不同寬禁帶半導(dǎo)體器件的制備需求。
•適用工藝類型
采用物理氣相輸運(yùn)法（PVT 法）進(jìn)行晶體生長，PVT 法是當(dāng)前 SiC 晶體生長的主流工藝 —— 該方法通過加熱 SiC 原料使其升華形成氣相物質(zhì)，氣相物質(zhì)在溫度較低的籽晶表面沉積并結(jié)晶形成 SiC 晶體。設(shè)備針對 PVT 法的工藝特點(diǎn)優(yōu)化了加熱速率、氣相傳輸路徑、籽晶定位精度等參數(shù)，確保 PVT 法生長過程穩(wěn)定，提升晶體的純度與結(jié)構(gòu)完整性。
•適用領(lǐng)域延伸
化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域：為 SiC、AIN 基化合物半導(dǎo)體器件（如功率 MOSFET、射頻 HEMT 器件）提供襯底制備設(shè)備支持，是化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的關(guān)鍵裝備；
襯底材料領(lǐng)域：用于高質(zhì)量 SiC 襯底、AIN 襯底的規(guī)?；a(chǎn)，襯底是半導(dǎo)體器件制造的基礎(chǔ)材料，設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行可保障襯底的質(zhì)量一致性，為下游器件制造提供優(yōu)質(zhì)基底；
科研領(lǐng)域：設(shè)備的工藝參數(shù)可靈活調(diào)整，支持科研機(jī)構(gòu)開展 SiC、AIN 晶體生長的工藝探索（如新型摻雜工藝、晶體缺陷控制研究），助力寬禁帶半導(dǎo)體材料的技術(shù)創(chuàng)新。
•加熱方式
采用感應(yīng)加熱方式，感應(yīng)加熱通過電磁感應(yīng)產(chǎn)生熱量，具有加熱效率高、溫度控制精準(zhǔn)、加熱區(qū)域集中等優(yōu)勢 —— 可快速將 SiC 原料加熱至升華溫度，且能通過調(diào)節(jié)感應(yīng)線圈電流精準(zhǔn)控制加熱溫度，減少溫度波動對晶體生長的影響，符合 SiC 晶體生長對高溫、高精度控溫的工藝需求。
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